[发明专利]基体的表面处理方法、预处理衬底以及存储器的制作方法

权利要求书

1.一种基体的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基体，所述基体的一侧表面为非平整表面；

在所述非平整表面上覆盖流体薄膜，使所述流体薄膜远离所述基体的一侧具有第一平整表面；

将所述流体薄膜固化，得到具有第二平整表面的平坦层；

沿所述第二平整表面对所述基体进行平坦化处理，使所述基体具有第三平整表面。

2.根据权利要求1所述的基体的表面处理方法，其特征在于，所述非平整表面具有凸起表面区域和凹陷表面区域，所述凸起表面区域和所述凹陷表面区域之间的最大高度差为H₁，所述流体薄膜具有最大厚度H₂，H₁＜H₂。

3.根据权利要求2所述的基体的表面处理方法，其特征在于，在所述非平整表面上覆盖流体薄膜的步骤包括：

将流体材料涂布于所述非平整表面上；

静置所述基体，以使所述流体材料中的部分完全覆盖所述凸起表面区域和所述凹陷表面区域。

4.根据权利要求2所述的基体的表面处理方法，其特征在于，在沿所述第二平整表面对所述基体进行平坦化处理的步骤之前，所述表面处理方法还包括以下步骤：

将所述平坦层减薄，以去除位于所述凸起表面区域和所述凹陷表面区域上方的至少部分所述平坦层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的基体的表面处理方法，其特征在于，所述流体薄膜包括有机流体材料和/或无机流体材料。

6.根据权利要求5所述的基体的表面处理方法，其特征在于，所述流体薄膜包括光阻剂和/或有机流体氧化硅。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的基体的表面处理方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺沿所述第二平整表面对所述基体进行平坦化处理。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的基体的表面处理方法，其特征在于，所述基体为衬底。

9.一种预处理衬底，其特征在于，所述预处理衬底为采用权利要求1至8中任一项所述的衬底的表面处理方法处理后的衬底。

10.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，采用权利要求1至8中任一项所述的基体的表面处理方法对所述衬底进行表面处理；

在表面处理后的所述衬底上形成存储器。