[发明专利]半导体存储器设备和具有其的存储器系统在审

专利信息
申请号: 202110890301.6 申请日: 2021-08-04
公开(公告)号: CN114678050A 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 洪昇基;裵元一;郑宪洙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/4078 分类号: G11C11/4078;G11C11/406
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 设备 具有 系统
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器设备,包括:

存储器单元阵列,包括多个子存储器单元阵列块,所述多个子存储器单元阵列块中的每一个包括布置在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元,且多个子感测放大块布置在所述多个子存储器单元阵列块之间;以及

处理电路系统,配置为响应于刷新命令而生成刷新计数控制信号并且响应于所述刷新计数控制信号而生成正常刷新行地址;响应于所述刷新计数控制信号而生成指纹读取信号;接收从存储器单元输出的数据,所述存储器单元连接到在所述多条字线当中选择的一条字线和在所述多个子存储器单元阵列块当中的一个子存储器单元阵列块的所述多条位线当中选择的一条位线,所述接收数据响应于所述指纹读取信号进行以生成指纹数据;并且响应于激活命令而执行线性反馈移位操作以便生成序列数据,响应于所述指纹读取信号而接收所述数据并且基于所述指纹数据来生成所述序列数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备,其中所述处理电路系统包括:

正常刷新行地址生成器电路系统,配置为响应于所述刷新命令而生成所述刷新计数控制信号并且响应于所述刷新计数控制信号而生成所述正常刷新行地址;

指纹读取信号生成器电路系统,配置为响应于所述刷新计数控制信号生成所述指纹读取信号;

指纹输出单元电路系统,配置为接收从存储器单元输出的所述数据,所述存储器单元连接到在所述多条字线当中选择的一条字线和在所述多个子存储器单元阵列块当中的一个子存储器单元阵列块的所述多条位线当中选择的一条位线,所述接收数据响应于所述指纹读取信号进行以生成指纹数据;以及

伪随机数生成器电路系统,配置为响应于所述激活命令而执行所述线性反馈移位操作以便生成序列数据,响应于所述指纹读取信号而接收所述数据并且基于所述指纹数据来生成所述序列数据,以及

其中所述指纹读取信号生成器电路系统配置为响应于所述刷新计数控制信号被接收第一阈值次数或更多次数而生成所述指纹读取信号。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器设备,进一步包括:

行解码器电路系统,配置为响应于所述指纹读取信号而选择在所述多个子存储器单元阵列块当中的一个子存储器单元阵列块中的所述多条字线当中的一条;以及

列解码器电路系统,配置为响应于所述指纹读取信号而选择用于选择所选择的位线的多个列选择信号当中的一个。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器设备,其中响应于所述多个子存储器单元阵列块当中的一个是布置在所述存储器单元阵列的边缘中的边缘子存储器单元阵列块,所述列解码器电路系统配置为在通过与所述边缘子存储器单元阵列块相邻的边缘相邻子存储器单元阵列块对从所选择的存储器单元输出的所述数据完全执行放大操作之后或之前选择所述多个列选择信号当中的所述一个。

5.根据权利要求3所述的半导体存储器设备,其中响应于所述多个子存储器单元阵列块当中的一个是不布置在所述存储器单元阵列的边缘中的正常子存储器单元阵列块,所述列解码器电路系统配置为在通过与所述正常子存储器单元阵列块相邻的正常相邻子存储器单元阵列块对从所选择的存储器单元输出的所述数据完全执行放大操作之前选择所述多个列选择信号当中的一个。

6.根据权利要求3所述的半导体存储器设备,其中所述伪随机数生成器电路系统配置为基于特征多项式来按顺序且重复地生成(2n-1)个n位序列数据,

其中所述处理电路系统进一步包括:

控制信号生成器电路系统,配置为接收所述序列数据,响应于所述序列数据与作为所述(2n-1)个n位序列数据当中的一个的第一数据对应而生成随机屏蔽信号,并且响应于所述序列数据与作为所述(2n-1)个n位序列数据当中的另一个的第二数据对应而生成随机拾取信号,

第一锤击行地址检测器电路系统,配置为响应于相同行地址被接收到多于或等于第二阈值次数而将所述相同行地址检测为第一锤击攻击性行地址,所述接收所述相同行地址响应于所述激活命令和所述随机屏蔽信号,以及

第二锤击行地址检测器电路系统,配置为响应于所述激活命令和所述随机拾取信号而将行地址检测为第二锤击攻击性行地址。

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