[发明专利]用于半导体生产的热交换器温控方法及温控系统

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于半导体生产的热交换器温控方法及温控系统，用于半导体生产的热交换器温控方法包括：确定开启制冷的区PID，设定区PID的范围值；确定水箱的入口温度与水箱的入口目标温度之差在区PID的范围值内，区PID调用参数PID2。通过控制制冷回路的制冷剂流量来控制制冷量的输出，相较于通过控制循环回路的三通控制循环液换热能耗更低，并且通过高低温度区间内对PID的分区控制满足宽温区及空载负载状态的高精度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于半导体生产的热交换器温控方法及温控系统。

背景技术

热交换器温控装置用来在集成电路制造工艺中提供稳定流量、稳定温度的循环液体。设备在实际工艺中以制冷为主，加热为辅，对于空载及负载状态时的温控精度要求较高，同时需要兼顾整个设备的能耗效率。为了系统满足在20℃有较强的制冷能力，同时考虑装置的经济性，制冷回路上控制制冷剂流量的电动两通阀选用常规的球阀，选型规格需要对应的放大。由于常规球阀的控制精度偏低，全量程内在1%-2%。在低温段制冷量输出偏大，可以满足空载和负载的温控精度。而高温段时空载需要输出的制冷量很小，球阀的控制精度满足不了±0.1℃的温控精度。

发明内容

本发明提供一种用于半导体生产的热交换器温控方法及温控系统，用以解决现有技术中温控系统在高温段时空载需要输出的制冷量很小，难以达到温控精度的缺陷，实现通过高低温度区间内对PID的分区控制满足宽温区及空载负载状态的高精度的效果。

本发明提供一种用于半导体生产的热交换器温控方法，包括：

确定开启制冷的区PID，设定区PID的范围值；

确定水箱的入口温度与水箱的入口目标温度之差在区PID的范围值内，区PID调用参数PID2。

根据本发明提供的一种用于半导体生产的热交换器温控方法，还包括：

确定水箱的入口温度与水箱的入口目标温度之差大于区PID的范围值的最大值，或确定水箱的入口温度与水箱的入口目标温度之差小于区PID的范围值的最小值，区PID调用参数PID1。

根据本发明提供的一种用于半导体生产的热交换器温控方法，所述确定开启制冷的区PID的步骤包括：

确定水箱的入口目标温度大于或等于第一判定温度，开启制冷的区PID。

根据本发明提供的一种用于半导体生产的热交换器温控方法，所述确定开启制冷的区PID的步骤包括：

确定水箱的入口目标温度大于或等于第一判定温度，且热交换器的放热通路的回口温度与水箱的入口目标温度之差小于第二判定温度，开启制冷的区PID。

根据本发明提供的一种用于半导体生产的热交换器温控方法，还包括：

确定关闭制冷的区PID，区PID调用参数PID1。

根据本发明提供的一种用于半导体生产的热交换器温控方法，所述确定关闭制冷的区PID的步骤包括：

确定水箱的入口目标温度大于或等于第一判定温度，且热交换器的放热通路的回口温度与水箱的入口目标温度之差大于或等于第二判定温度，关闭制冷的区PID。

根据本发明提供的一种用于半导体生产的热交换器温控方法，所述确定关闭制冷的区PID的步骤包括：

确定水箱的入口目标温度小于第一判定温度，关闭制冷的区PID。

根据本发明提供的一种用于半导体生产的热交换器温控方法，所述PID2的积分系数和微分系数均为0。