[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置

说明书

本申请公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置，阵列基板的制备方法包括以下步骤：在衬底上连续沉积遮光层材料与第一金属层材料；在第一金属层材料上方，使用半透膜光罩制程形成具有第一光阻部和第二光阻部的光阻层；对第一金属层材料进行第一次湿蚀刻，形成第一金属层；对遮光层材料进行干蚀刻，形成遮光层，同时对所述光阻层进行灰化处理，进而去除所述第二光阻部以及部分所述第一光阻部；对第一金属层进行第二次湿蚀刻，形成栅极层；在栅极层上方依次形成栅极绝缘层、半导体层；第一光阻部的厚度大于第二光阻部的厚度，半导体层在衬底上的正投影，位于遮光层在衬底上的正投影范围内。本申请通过以上方式，降低照光漏电流。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置。

背景技术

显示技术在近年来取得非常大的发展，人们的生活也越来越离不开显示器，显示器主要包括液晶显示器和有机发光二极管显示器等，相应的，人们对于显示器的品质的追求也越来越高，其中，不管是哪种显示器，起到开关作用的薄膜晶体管对于显示器的品质的影响非常大。

以液晶显示器为例，液晶显示器具有背光模组，背光模组为液晶显示器提供光源，这使得阵列基板上的薄膜晶体管中的半导体层可能受到背光模组发出光线的照射，若是半导体层受到光照时，会产生光漏电的问题，直接影响到显示器的显示品质，因而，如何避免半导体层产生光漏电问题是亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置，以降低照光漏电流。

本申请公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上连续沉积遮光层材料与第一金属层材料；在所述第一金属层材料上方，使用半透膜光罩制程形成具有第一光阻部和第二光阻部的光阻层；对所述第一金属层材料进行第一次湿蚀刻，形成第一金属层；对所述遮光层材料进行干蚀刻，形成遮光层，同时对所述光阻层进行灰化处理，进而去除所述第二光阻部以及部分所述第一光阻部；对所述第一金属层进行第二次湿蚀刻，形成栅极层；去除所述栅极层上的残留光阻；在所述栅极层上方依次形成栅极绝缘层、半导体层、第二金属层；其中，所述第一光阻部的厚度大于所述第二光阻部的厚度，所述半导体层在所述衬底上的正投影，位于所述遮光层在所述衬底上的正投影范围内。

可选的，所述在栅极层上方依次形成栅极绝缘层、半导体层、第二金属层的步骤包括：在所述栅极层上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方连续沉积半导体层材料和第二金属层材料；通过一道光罩制程形成半导体层和第二金属层；其中，所述第二金属层和所述半导体层的一部分突出于所述栅极层的边缘形成突出部。

可选的，所述遮光层的长度大于所述栅极层的长度，所述遮光层的长度大于所述半导体层的长度，所述遮光层相对于所述栅极层的两端均突出形成遮光突出部。

可选的，上述的所述遮光层采用黑色光阻、丙烯酸树脂及聚酰亚胺中至少一者形成；所述遮光层的厚度小于所述栅极层的厚度。

本申请还公开了一种阵列基板，使用上述的所述阵列基板的制备方法形成，包括依次层叠设置的衬底、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、源漏层、钝化层和像素电极层，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层形成在所述衬底和所述栅极层之间，所述半导体层在所述衬底上的正投影，位于所述遮光层在所述衬底上的正投影范围内。

可选的，所述源漏层包括源极层和漏极层，所述半导体层突出于所述栅极层的边缘形成突出部，所述漏极层突出于所述栅极层的边缘形成漏极突出部，所述漏极突出部对应所述突出部设置；所述遮光层突出于所述栅极层形成遮光突出部，所述遮光突出部对应所述突出部设置，且所述遮光突出部的边缘超出所述突出部的边缘。

可选的，所述半导体层的长度小于等于所述栅极层的长度。

可选的，所述遮光层采用黑色光阻、丙烯酸树脂及聚酰亚胺中的至少一者制成。