[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上连续沉积遮光层材料与第一金属层材料；

在所述第一金属层材料上方，使用半透膜光罩制程形成具有第一光阻部和第二光阻部的光阻层；

对所述第一金属层材料进行第一次湿蚀刻，形成第一金属层；

对所述遮光层材料进行干蚀刻，形成遮光层，同时对所述光阻层进行灰化处理，进而去除所述第二光阻部以及部分所述第一光阻部；

对所述第一金属层进行第二次湿蚀刻，形成栅极层；

去除所述栅极层上的残留光阻；

在所述栅极层上方依次形成栅极绝缘层、半导体层、第二金属层；

其中，所述第一光阻部的厚度大于所述第二光阻部的厚度，所述半导体层在所述衬底上的正投影，位于所述遮光层在所述衬底上的正投影范围内。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在栅极层上方依次形成栅极绝缘层、半导体层、第二金属层的步骤包括：

在所述栅极层上方形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上方连续沉积半导体层材料和第二金属层材料；

通过一道光罩制程形成半导体层和第二金属层；

其中，所述第二金属层和所述半导体层的一部分突出于所述栅极层的边缘形成突出部。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述遮光层的长度大于所述栅极层的长度，所述遮光层的长度大于所述半导体层的长度，所述遮光层相对于所述栅极层的两端均突出形成遮光突出部。

4.如权利要求1至3任意一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述遮光层采用黑色光阻、丙烯酸树脂及聚酰亚胺中至少一者形成；所述遮光层的厚度小于所述栅极层的厚度。

5.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板使用如权利要求1至4任意一项所述的阵列基板的制备方法形成，所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底、遮光层、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、源漏层、钝化层和像素电极层，所述遮光层形成在所述衬底和所述栅极层之间，所述半导体层在所述衬底上的正投影，位于所述遮光层在所述衬底上的正投影范围内。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏层包括源极层和漏极层，所述半导体层突出于所述栅极层的边缘形成突出部，所述漏极层突出于所述栅极层的边缘形成漏极突出部，所述漏极突出部对应所述突出部设置；

所述遮光层突出于所述栅极层形成遮光突出部，所述遮光突出部对应所述突出部设置，且所述遮光突出部的边缘超出所述突出部的边缘。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的长度小于等于所述栅极层的长度。

8.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层采用黑色光阻、丙烯酸树脂及聚酰亚胺中的至少一者制成。

9.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层的厚度比所述栅极层的厚度小。

10.一种显示装置，包括彩膜基板和背光模组，其特征在于，所述显示装置还包括如上述权利要求5至9任意一项所述的阵列基板，所述阵列基板和所述彩膜基板对盒设置，所述背光模组设置在所述阵列基板的下方。