[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法有效
| 申请号: | 202110869175.6 | 申请日: | 2021-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN113629115B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
| 发明(设计)人: | 张良芬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 宋煜 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
像素定义层,设置在所述阵列基板上;
第一辅助电极,设置在所述阵列基板上,所述第一辅助电极包括沿远离所述阵列基板方向依次设置的导电连接部和阻隔部,所述阻隔部面向所述导电连接部的一侧伸出于所述导电连接部的第一侧;
发光层,设置在所述像素定义层上;
阴极层,设置在所述发光层上,所述阴极层包括阴极,所述阴极与所述导电连接部的第一侧的表面电连接;
其中,所述导电连接部的第一侧的表面由斜面和台阶相互交替连接组成。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括依次设置的衬底基板和绝缘层,所述绝缘层内设置有第二辅助电极,所述第二辅助电极与所述第一辅助电极位置对应,所述绝缘层内开设有通孔,所述通孔自所述第二辅助电极延伸至所述第一辅助电极,所述第一辅助电极穿过所述通孔与所述第二辅助电极电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层包括依次设置的缓冲层、层间介质层和钝化层;
所述衬底基板和所述缓冲层之间设置有所述第二辅助电极,所述通孔贯穿所述钝化层、所述层间介质层和所述缓冲层;和/或,
所述层间介质层和所述钝化层之间设置有所述第二辅助电极,所述通孔贯穿所述钝化层。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述第一辅助电极和所述第二辅助电极的材质相同。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在远离阵列基板的方向上,所述导电连接部的第一侧的表面朝向对应的阴极倾斜。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一辅助电极的厚度大于或等于500nm且小于或等于1000nm。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括阳极层,所述阳极层设置在所述阵列基板上,所述第一辅助电极的导电连接部与所述阳极层的材质相同。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述导电连接部与所述阻隔部的材质相同。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至8任一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一阵列基板;
在所述阵列基板上形成像素定义层;
在所述阵列基板上形成第一辅助电极,所述第一辅助电极包括沿远离所述阵列基板方向依次设置的导电连接部和阻隔部,所述阻隔部面向所述导电连接部的一侧伸出于所述导电连接部的第一侧;
在所述像素定义层上形成发光层;
在所述发光层上形成阴极层,所述阴极层包括阴极,所述阴极与所述导电连接部的第一侧的表面电连接;
其中,所述导电连接部的第一侧的表面由斜面和台阶相互交替连接组成。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述阵列基板上形成第一辅助电极,包括:
在所述阵列基板上形成导电连接部;
在所述导电连接部上形成阻隔部;
对所述阻隔部和所述导电连接部进行刻蚀,使所述阻隔部伸出于所述连接部的第一侧,所述阻隔部与所述导电连接部构成第一辅助电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





