[发明专利]显示面板及其制备方法有效
申请号: | 202110861384.6 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113629085B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 罗传宝 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
像素单元;
基板;
感光单元,所述感光单元用于接收显示面板外部的激光笔发出的光信号,所述感光单元包括感光薄膜晶体管和开关薄膜晶体管,所述感光薄膜晶体管的栅极和所述开关薄膜晶体管的栅极同层设置;所述感光薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极,所述第一栅极连接栅极线以接收栅极信号,所述第一源极连接电源;所述开关薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极和第三漏极,所述第三栅极连接所述第一漏极,所述第三源极连接所述电源,所述第三漏极连接信号读取端;以及
驱动单元,所述驱动单元与所述像素单元电连接以驱动所述像素单元,所述驱动单元包括驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管、所述感光薄膜晶体管和所述开关薄膜晶体管并列设置于所述基板上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述感光薄膜晶体管包括第一有源部,所述驱动薄膜晶体管包括第二有源部,所述第二有源部的材料与所述第一有源部的材料不同。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一有源部的材料为非晶硅;和/或
所述第二有源部的材料为氧化物半导体。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一有源部和所述第二有源部同层设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述感光薄膜晶体管还包括第一绝缘部和第二绝缘部,所述第一栅极设置于所述基板;所述第一绝缘部设置于所述第一栅极并覆盖住所述第一栅极;所述第一有源部设置于所述第一绝缘部;所述第一源极和所述第一漏极间隔设置于所述第一有源部;所述第二绝缘部设置于所述第一绝缘部并覆盖住所述第一源极、所述第一漏极以及所述第一有源部;
所述驱动薄膜晶体管还包括第二栅极、第三绝缘部、第二源极、第二漏极以及第四绝缘部,所述第二栅极设置于所述基板;所述第三绝缘部设置于所述第二栅极并覆盖住所述第二栅极;所述第二有源部设置于所述第三绝缘部;所述第二源极和所述第二漏极间隔设置于所述第二有源部;所述第四绝缘部设置于所述第三绝缘部并覆盖住所述第二源极和第二漏极以及所述第二有源部;
所述开关薄膜晶体管还包括第五绝缘部、第三有源部和第六绝缘部,所述第三栅极设置于所述基板;所述第五绝缘部设置于所述第三栅极并覆盖住所述第三栅极;所述第三有源部设置于所述第五绝缘部;所述第三源极和所述第三漏极间隔设置于所述第三有源部;所述第六绝缘部设置于所述第五绝缘部并覆盖住所述第三源极、所述第三漏极以及所述第三有源部。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第一遮光部,所述第一遮光部设置于所述第二有源部背离所述基板的一侧;和/或
第二遮光部,所述第二遮光部设置于所述第三有源部背离所述基板的一侧。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上并列形成感光薄膜晶体管、开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,所述感光薄膜晶体管和所述开关薄膜晶体管形成感光单元,所述感光单元用于接收显示面板外部的激光笔发出的光信号,所述驱动薄膜晶体管形成驱动单元;所述感光薄膜晶体管的栅极和所述开关薄膜晶体管的栅极同层设置;所述感光薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极,所述第一栅极连接栅极线以接收栅极信号,所述第一源极连接电源;所述开关薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极和第三漏极,所述第三栅极连接所述第一漏极,所述第三源极连接所述电源,所述第三漏极连接信号读取端;
制作像素单元,并将所述像素单元与所述驱动单元电连接,以使所述驱动单元驱动所述像素单元。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述在所述基板上并列形成感光薄膜晶体管、开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管包括:
在所述基板上分别形成所述感光薄膜晶体管的第一有源部和所述驱动薄膜晶体管的第二有源部,所述第一有源部和所述第二有源部使用不同的材料制成。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述在所述基板上分别形成所述感光薄膜晶体管的第一有源部和所述驱动薄膜晶体管的第二有源部包括:
将所述第一有源部和所述第二有源部同层设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的