[发明专利]一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法

说明书

本发明公开了一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，包括如下步骤：制定喷射清洗顺序：清洗顺序一、的的清洗顺序二、的DHF和0.1～3.0vol％的清洗方式为：仅重复清洗顺序一，仅重复清洗顺序二或者使用清洗顺序一和二的组合方式；利用了有机酸的鳌合效应，确立了单片式清洗机使用有机酸的最佳清洗方法，可以实现硅片表面金属离子“防止再附着”的目的，实现提高抛光硅片的金属水平从1E9至1E8Atoms/cm²。

技术领域

本发明属于硅片清洗领域，具体涉及一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法。

背景技术

随着半导体行业对硅衬底片的要求日益严格，为了保证最终元器件的高性能、高稳定性和高质量性，需要最终的硅衬底表面具有极高清洁度。

硅片的一般生产加工流程为：单晶生长→切断→外径滚磨削→平边或V型槽处理→切片→边缘轮廓→研磨→腐蚀→化学气相沉积→抛光→最终清洗→终检→包装。最终清洗的效果对硅衬底表面的金属、颗粒以及有机物质量起着决定性作用。而最终清洗中的清洗液对清洗效果至关重要。

为了满足上述所需，亟待开发绿色友好的硅片清洗液。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，利用了有机酸的鳌合效应，确立了单片式清洗机使用有机酸的最佳清洗方法，可以实现硅片表面金属离子“防止再附着”的目的，实现提高抛光硅片的金属水平从1E9至1E8Atoms/cm²。

本发明的技术方案是：一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，包括如下步骤：

步骤一、准备喷射清洗液用的喷嘴；

步骤二、制定喷射清洗顺序：

清洗顺序一、的的

清洗顺序二、的DHF和0.1～3.0vol％的

清洗方式为：仅重复清洗顺序一，仅重复清洗顺序二或者使用清洗顺序一和二的组合方式；

步骤三、用纯水对旋转中的硅片进行喷雾以去除表面的药液；

步骤四、采用N2吹扫并高速旋转硅片使其干燥。

进一步的，步骤一所述的喷嘴包括用于喷射臭氧水或者DHF的普通喷嘴，以及用于喷射有机酸或者DHF和有机酸混合液的二流体喷嘴。

进一步的，DHF和有机酸混合液的制备方法：于HF槽中加入适量的49wt％氢氟酸、31wt％柠檬酸和常温去离子水，在配有颗粒滤芯的前提下，内循环数小时，得到0.1～1.0vol％的DHF和0.1～3.0vol％的有机酸混合液。

进一步的，所述有机酸或者DHF和有机酸混合液的喷射压力：液压0.1～0.3MPa,空气压0.1～0.5MPa；喷射流量：1.0～20l/hr；每循环一次喷射时间：1～120sec。

进一步的，所述臭氧水或者DHF的喷射压力：液压0.001～0.1MPa；喷射流量：0.5～3.0l/min；每循环一次喷射时间：1～120sec。

进一步的，步骤四中所述N2为99.99～99.9999％高纯度氮气。

进一步的，步骤四中所述高速旋转的回转数：1000～2000rpm。

本发明的有益效果是：提供一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，利用了有机酸的鳌合效应，确立了单片式清洗机使用有机酸的最佳清洗方法，采用或者可以实现硅片表面金属离子“防止再附着”的目的，实现提高抛光硅片的金属水平从1E9至1E8Atoms/cm²以下。其中，1E8Atoms/cm²表示每平方厘米包含1*10⁸个atom。并且减少硅片表面外周雾的发生。