[发明专利]一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法

权利要求书

1.一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一、准备喷射清洗液用的喷嘴；

步骤二、制定喷射清洗顺序：

清洗顺序一、

清洗顺序二、和

清洗方式为：仅重复清洗顺序一，仅重复清洗顺序二或者使用清洗顺序一和二的组合方式；

步骤三、用纯水对旋转中的硅片进行喷雾以去除表面的药液；

步骤四、采用N2吹扫并高速旋转硅片使其干燥。

2.根据权利要求1所述的一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，其特征在于：步骤一所述的喷嘴包括用于喷射臭氧水或者DHF的普通喷嘴，以及用于喷射有机酸或者DHF和有机酸混合液的二流体喷嘴。

3.根据权利要求1所述的一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，其特征在于：DHF和有机酸混合液的制备方法：于HF槽中加入适量的49wt％氢氟酸、31wt％柠檬酸和常温去离子水，在配有颗粒滤芯的前提下，内循环数小时，得到0.1～1.0vol％的DHF和0.1～3.0vol％的有机酸混合液。

4.根据权利要求1所述的一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，其特征在于：所述有机酸或者DHF和有机酸混合液的喷射压力：液压0.1～0.3MPa,空气压0.1～0.5MPa；喷射流量：1.0～20l/hr；每循环一次喷射时间：1～120sec。

5.根据权利要求1所述的一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，其特征在于：所述臭氧水或者DHF的喷射压力：液压0.001～0.1MPa；喷射流量：0.5～3.0l/min；每循环一次喷射时间：1～120sec。

6.根据权利要求1所述的一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，其特征在于：步骤四中所述N2为99.99～99.9999％高纯度氮气。

7.根据权利要求1所述的一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，其特征在于：步骤四中所述高速旋转的回转数：1000～2000rpm。