[发明专利]分解半导体结构的布局的方法、装置、系统和存储介质

说明书

本申请提供了一种分解半导体结构的布局的方法、装置、系统和存储介质。该方法包括：基于半导体结构在预设截面处的布局形成待分解的结构布局原图；基于结构布局原图获得多个包括结构布局原图中的至少一部分的子图；对多个所述子图的不变矩进行聚类，以获得包含不变矩的多个类；以及将同一个类中的不变矩对应的子图归至同一个集合中，以在每个集合内的全部子图中选取特征子图。

技术领域

本申请涉及图像处理领域，更具体的，涉及一种分解半导体结构的布局的方法和、装置、系统和存储介质。

背景技术

在半导体制造领域，设计师需要设计庞大、复杂的布局图。设计师通常采用面向制造的设计(DFM)技术提高设计稳健性，以进一步提高产品可靠性和提高制造产量。

任何一个可能对设计师有价值的DFM建议，都必须提供一个在不同预期工艺条件下如何制造出特定设计的准确预测。为了实现这种预测能力，就需要在设计流程的所有阶段都了解过程窗口。光刻友好设计(LFD)可捕捉一些信息，例如在制造过程中设计将如何响应光刻窗口效应。这些知识使设计人员能够改进和优化布局，进而使设计对过程窗口变化的敏感性大大降低。

在优化布局设计的过程中，需要对大量的不同模式的设计进行实验研究和总结，从而吸取经验、教训，避开经常出问题的模式，吸收优秀的模式，因此需要对半导体结构的截面布局图进行分解。然而，目前现有厂商提供的DFM分解工具所采用的方法有一些不足。例如通过锚定角的投影，虽然增加了信息量，但是也增加了冗余，这些冗余对聚类并无帮助。

发明内容

本申请的实施例提供了一种用于分解半导体结构的布局的方法，该方法包括：基于半导体结构在预设截面处的布局形成待分解的结构布局原图；基于结构布局原图获得多个包括结构布局原图中的至少一部分的子图；对多个前述子图的不变矩进行聚类，以获得包含不变矩的多个类；以及将同一个类中的不变矩对应的子图归至同一个集合中，以在每个集合内的全部子图中选取特征子图。

在一个实施方式中，该方法还包括：计算子图的不变矩的步骤，包括：提取子图的角点，并基于角点形成轮廓图；以及基于角点的坐标，计算轮廓图的不变矩。

在一个实施方式中，计算轮廓图的不变矩的步骤包括：计算轮廓图的Hu矩。

在一个实施方式中，轮廓图是位于子图中的凸包。

在一个实施方式中，计算轮廓图的不变矩的步骤包括：计算至少一个体现轮廓图的特征的矩，其中，轮廓图的特征是角点数、长宽比、面积、重心、外接圆半径、最小外接圆半径或椭圆旋转角中至少之一。

在一个实施方式中，获得多个包括结构布局原图中的至少一部分的子图的步骤包括：利用固定尺寸的窗口从结构布局原图截取子图。

在一个实施方式中，截取子图的步骤包括：通过滑动窗口截取子图，并使子图包括与其他子图重叠的部分。

在一个实施方式中，聚类的步骤包括：获得未被归入类的多个不变矩中任意两个不变矩之间的第一欧氏距离；以及将第一欧氏距离最小的两个不变矩归为一类。

在一个实施方式中，对多个子图的不变矩进行聚类的步骤包括：对多个子图的不变矩进行层次聚类，以获得包含不变矩的多个类，并获得至少一个上层类，其中，上层类包括多个类中的至少一个类。

在一个实施方式中，聚类的步骤包括：获得未被归入类的多个不变矩中任意两个不变矩之间的第一欧氏距离；获得未被归入类的多个不变矩中任意一个不变矩与类之间的第二欧氏距离；以及若一个不变矩包括小于其全部的第一欧氏距离的第二欧式距离，将一个不变矩与其最小的第二欧式距离所对应的类归入同一个上层类。

在一个实施方式中，选取特征子图的步骤包括：选取具有距离聚类中心最近的不变矩的子图作为特征子图。