[发明专利]分解半导体结构的布局的方法、装置、系统和存储介质

权利要求书

1.一种用于分解半导体结构的布局的方法，其特征在于，包括：

基于半导体结构在预设截面处的布局形成待分解的结构布局原图；

基于所述结构布局原图获得多个包括所述结构布局原图中的至少一部分的子图；

对多个所述子图的不变矩进行聚类，以获得包含所述不变矩的多个类；以及

将同一个所述类中的所述不变矩对应的子图归至同一个集合中，以在每个所述集合内的全部所述子图中选取特征子图。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括计算所述子图的不变矩的步骤，包括：

提取所述子图的角点，并基于所述角点形成轮廓图；以及

基于所述角点的坐标，计算所述轮廓图的不变矩。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，计算所述轮廓图的不变矩的步骤包括：计算所述轮廓图的Hu矩。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述轮廓图是位于所述子图中的凸包。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述计算所述轮廓图的不变矩的步骤包括：

计算至少一个体现所述轮廓图的特征的矩，其中，所述轮廓图的特征是角点数、长宽比、面积、重心、外接圆半径、最小外接圆半径或椭圆旋转角中的至少之一。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，获得多个包括所述结构布局原图中的至少一部分的子图的步骤包括：

利用固定尺寸的窗口从所述结构布局原图截取所述子图。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，截取所述子图的步骤包括：

通过滑动所述窗口截取所述子图，并使所述子图包括与其他子图重叠的部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对多个所述子图的不变矩进行聚类的步骤包括：

对多个所述子图的不变矩进行层次聚类，以获得包含所述不变矩的多个类，并获得至少一个上层类，其中，所述上层类包括所述多个类中的至少一个类。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述聚类的步骤包括：

获得未被归入所述类的多个所述不变矩中任意两个不变矩之间的第一欧氏距离；

获得未被归入所述类的多个所述不变矩中任意一个不变矩与所述类之间的第二欧氏距离；以及

若一个所述不变矩包括小于其全部的第一欧氏距离的第二欧式距离，将所述一个不变矩与其最小的第二欧式距离所对应的类归入同一个所述上层类。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选取特征子图的步骤包括：

选取具有距离聚类中心最近的不变矩的子图作为所述特征子图。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，选取距离所述类的各个不变矩的欧式距离之和最小的位置为所述聚类中心；以及

其中，选取具有与所述聚类中心之间欧氏距离最小的不变矩的子图为所述特征子图。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体结构包括三维存储器。

13.一种用于分解半导体结构的布局的装置，其特征在于，包括：

图像生成单元，被配置为基于半导体结构在预设截面处的布局形成待分解的结构布局原图；

拆分单元，被配置为基于所述结构布局原图获得多个包括所述结构布局原图中的至少一部分的子图；

聚类单元，被配置成对多个所述子图的不变矩进行聚类，以获得包含所述不变矩的多个类；以及

特征子图确定单元，被配置成将同一个所述类中的所述不变矩对应的子图归至同一个集合中，以在每个所述集合内的全部所述子图中选取特征子图。