[发明专利]洗涤液组合物及使用其的洗涤方法

说明书

本发明涉及一种洗涤液组合物及使用其的洗涤方法。根据本发明的一方面，提供一种洗涤液组合物，其包括：螯合剂，其包括第一有机酸及第二有机酸；以及蚀刻剂，其包括氟化物化合物。

技术领域

本发明涉及一种洗涤液组合物及使用其的洗涤方法。

背景技术

近年来，随着半导体器件小型化的发展，人们对基板各层的平坦度提出更高的要求。此外，为了提高生产效率，需要同时对不同硬度或性能的不同类型的表面进行平坦化处理。

化学机械抛光(CMP)是一种保证半导体器件基板的平坦度的技术。化学机械抛光在提供含有抛光粒子的抛光剂的同时，使用抛光垫对基板表面进行抛光及平坦。作为抛光剂，以二氧化硅粒子为抛光粒子的二氧化硅浆料和以氧化铈粒子为抛光粒子的氧化铈浆料得到了广泛的应用。二氧化硅浆料主要用于铜等金属及二氧化硅的抛光，氧化铈浆料用于二氧化硅及氮化硅的抛光。

在使用诸如二氧化硅浆料或氧化铈浆料之类的抛光剂执行抛光工艺之后，需要一种洗涤过程以去除残留在基板表面上的抛光碎屑、颗粒、有机残留物、副产物等。

在使用二氧化铈浆料执行CMP工艺之后，通常执行氢氟酸洗涤以去除残留在基板表面上的二氧化铈(一种抛光粒子)。然而，在氢氟酸洗涤中，由于对热氧化膜的溶解性过强，因此会产生划痕或表面缺陷，导致影响洗涤后的工艺，还会降低半导体器件的成品率及质量。另外，当使用稀氟化氢(dHF)时，对氧化膜的刻蚀作用不大。

因此，需要开发一种既能替代氟化氢，又能有效地去除CMP工艺后的残留物，并可减少缺陷发生的洗涤液。

上述描述已经在构思本公开的过程中被发明人所拥有或获取，并且，不一定是在提出本申请之前公知的技术。

发明内容

要解决的技术问题

本发明的目的在于解决上述问题，为此提供一种洗涤液组合物及使用其的洗涤方法，其中所述洗涤液组合物能够减少表面缺陷的发生，同时有效地去除使用氧化铈粒子进行抛光过程后的洗涤过程中的残留物。

然而，本发明要解决的问题并非受限于上述言及的问题，未言及的其他问题将通过下面的记载由本领域普通技术人员所明确理解。

解决问题的技术方法

根据本发明的一方面，提供一种洗涤液组合物，其包括：螯合剂，其包括第一有机酸及第二有机酸；以及蚀刻剂，其包括氟化物化合物。

根据一实施例，所述第一有机酸可以包括羧基或砜基，所述第二有机酸可以包括磷酸基。

根据一实施例，所述第一有机酸的含量可以为1重量％至10重量％，所述第二有机酸的含量可以为0.01重量％至5重量％。

根据一实施例，所述第一有机酸可以包括从由苹果酸、丙二酸、己二酸、琥珀酸、酒石酸、戊二酸、乙醇酸、天冬氨酸、衣康酸、谷氨酸、丙三羧酸、庚二酸、辛二酸、癸二酸、硬脂酸、丙酮酸、乙酰乙酸、乙醛酸、壬二酸、富马酸、戊烯二酸、创伤酸、粘康酸、乌头酸、丙三羧酸(carballylic acid)、三元酸、苯六甲酸、异柠檬酸、柠檬酸、乳酸、葡萄糖酸、马来酸、抗坏血酸、亚氨基乙酸、草酸、焦性没食子酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一酸、月桂酸、十三酸、肉豆蔻酸、十五酸、棕榈酸、氨基磺酸、水杨酸、对甲苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、2-萘磺酸、聚乙烯磺酸、十二烷基苯磺酸、对羟基苯磺酸、甲基磺酸及硝基苯磺酸组成的组中选择的一种以上。