[发明专利]一种五槽式去胶剥离机及其使用方法在审
申请号: | 202110782192.6 | 申请日: | 2021-07-12 |
公开(公告)号: | CN113539899A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 杨杰;蒋君;孔玉朋;宋昌万 | 申请(专利权)人: | 拓思精工科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 苏州睿翼专利代理事务所(普通合伙) 32514 | 代理人: | 朱林辉 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 五槽式去胶 剥离 及其 使用方法 | ||
本发明公开了一种五槽式去胶剥离机及其使用方法,包括机架、位于所述机架上的料盒、定心工位、浸泡工位、剥离清洗工位以及用于晶片移送的移载工位;所述定心工位包括定心支架、位于所述定心支架上的定心滑台气缸以及用于晶片定心的定心夹块;所述剥离清洗工位数量为两个且分别位于所述移载工位两侧,所述剥离清洗工位包括双层支架、位于所述双层支架上方的上层剥离机构以及位于所述双层支架下方的下层清洗机构;所述移载工位包括Y轴模组、X轴模组、运动座、驱动电缸以及取料臂。本发明实现了对晶片的去胶剥离处理,无需对药液进行回收,不会对晶片表面造成损伤,保证了对晶片的处理效果。
技术领域
本发明属于晶片去胶剥离技术领域,尤其涉及一种五槽式去胶剥离机及其使用方法。
背景技术
晶片,是一种半导体零件,通常需要采用湿法蚀刻的方式进行去胶剥离,先对待去胶晶片进行药液加热浸泡,再进行高压二流体加热药液(喷头可设置角度调整,避免金属沉积物弹起对晶片表面造成损伤),进行冲洗,待剥离完成之后,转移到刷片工位,再进行刷洗作业,有效的保证去胶的一次性以及去胶后晶片表面的洁净度。
传统的处理方式会对药液回收过滤后进行二次利用,这种方式的缺陷在于:(1)药液的衰弱性差异会导致去胶的一次性效果不够好;(2)药液回收系统耗材成本极高。
并且传统的去胶剥离过程中需要采用超高压对晶片表面进行冲洗,在此过程中会存在金属沉积物反弹,再次被超高压的药液水柱击打在晶片表面,对晶片表面造成损伤。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足,提供一种五槽式去胶剥离机及其使用方法,以解决现有技术中存在的问题。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:一种五槽式去胶剥离机,对晶片表面进行去胶处理,包括机架、位于所述机架上的料盒、定心工位、浸泡工位、剥离清洗工位以及用于晶片移送的移载工位;其中:
所述定心工位包括定心支架、位于所述定心支架上的定心滑台气缸以及用于晶片定心的定心夹块;
所述浸泡工位对晶片进行药液浸泡;
所述剥离清洗工位数量为两个且分别位于所述移载工位两侧,所述剥离清洗工位包括双层支架、位于所述双层支架上方的上层剥离机构以及位于所述双层支架下方的下层清洗机构,所述上层剥离机构包括剥离槽体以及位于所述剥离槽体内的剥离吸盘、定心气缸以及雾化喷头,将晶片放置在剥离吸盘上之后,由雾化喷头对晶片进行雾化药液喷淋,所述下层清洗机构清洗槽体以及位于所述清洗槽体内的定心甩盘、喷洗头以及吹干头,将晶片放置在定心甩盘上之后,由喷洗头与吹干头依次对晶片进行喷洗与吹干;
所述移载工位包括Y轴模组、能够沿所述Y轴模组长度方向进行运动的X轴模组、能够沿所述X轴模组长度方向进行运动的运动座、位于所述运动座上的驱动电缸、能够沿所述驱动电缸长度方向进行运动的取料臂,所述取料臂包括取料安装架以及用于晶片取料的取料部,所述取料部前端为四层取料结构。
优选的,所述浸泡工位包括驱动模组、位于所述驱动模组一侧的浸泡槽体以及位于所述浸泡槽体内的料架,所述浸泡槽体一侧设有进料口,所述料架通过安装块与所述驱动模组连接。
优选的,所述浸泡槽体侧面与底面均设置有加热板。
优选的,所述安装架为V形结构体,所述安装架两端均通过连接块与所述驱动电缸连接,所述取料部前端采用真空吸附的方式对晶片进行吸放。
优选的,所述运动座下方设置有旋转马达,所述旋转马达通过连接架与所述X轴模组连接,所述旋转马达用以驱动所述运动座进行转动。
优选的,所述运动座前端设置有接水盘。
优选的,所述剥离槽体底部设置有第一剥离驱动组件与第二剥离驱动组件,所述第一剥离驱动组件用以驱动剥离吸盘进行旋转,所述第二剥离驱动组件用以驱动雾化喷头进行旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造