[发明专利]偏振光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种偏振光探测器，包括：

衬底；

源电极和漏电极，设置于所述衬底上；

一维硒硫化锑(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金纳米线，作为所述偏振光探测器的有源层，设置于所述衬底上的所述源电极和所述漏电极之间，其中，所述硒硫化锑(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金纳米线中组分比例可调节，x介于0～1之间。

2.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其中，所述衬底包括硅层和设置在所述硅层上的二氧化硅层；所述硅层厚度为350～450μm；所述二氧化硅层厚度为250～350nm；所述硅层和所述二氧化硅层的晶向均为100。

3.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其中，所述源电极和所述漏电极的材料均包括以下之一：金、钛金或铬金。

4.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其中，所述源电极和所述漏电极的厚度均为30～50nm；所述一维硒硫化锑(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金纳米线的厚度为100～300nm。

5.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其中，所述偏振光探测器的探测波段包括：紫外波段、可见光波段、近红外波段。

6.一种如权利要求1～5中任一项所述的偏振光探测器的制备方法，包括：

在衬底上制备一维硒硫化锑(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金纳米线，其中，所述硒硫化锑(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金纳米线中组分比例可调节，x介于0～1之间；

在所述衬底上制备源电极和漏电极，其中，所述源电极和所述漏电极分别位于所述一维硒硫化锑(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金纳米线的两侧；

对所述源电极和所述漏电极分别与印刷电路板进行引线连接，得到制备完成的器件；

对所述制备完成的器件进行封装，得到所述偏振光探测器。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述在衬底上制备一维硒硫化锑(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金纳米线包括：

称量预设摩尔比的锑粉、硫粉和硒粉作为反应原料；

将分别盛放有所述硫粉和所述硒粉、所述锑粉、所述衬底的坩埚置于管式炉内的石英管中的预设位置；

在不同的生长温度下，通入氩气，在所述衬底上沉积生长所述一维硒硫化锑(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金纳米线，其中，x介于0～1之间。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述将分别盛放有所述硫粉和所述硒粉、所述锑粉、所述衬底的坩埚置于管式炉内的石英管中的预设位置包括：

将盛放有所述锑粉的坩埚置于所述管式炉的中间位置作为第一位置；

以所述第一位置为基准，将盛放有所述硫粉和所述硒粉的坩埚和盛放有所述衬底的坩埚分别置于所述第一位置的两侧；

其中，将盛放有所述硫粉和所述细粉的坩埚置于所述第一位置的第一侧，距离所述第一位置为17～19cm，其中，所述第一侧为靠近所述管式炉入口侧；

将盛放有所述衬底的坩埚置于所述第一位置的第二侧，距离所述第一位置为10～15cm，其中，所述第二侧为远离所述管式炉入口侧。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述生长温度为600～650℃。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其中，在所述偏振光探测器与光源之间搭建光路，对所述偏振光探测器进行性能检测。