[发明专利]双埋氧绝缘体上硅DSOI晶圆制备方法

权利要求书

1.一种双埋氧绝缘体上硅DSOI晶圆制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供多个原始晶圆；

采用所述原始晶圆制备获得底层晶圆；

对所述底层晶圆进行指定区域P掺杂及金属淀积处理，得到具备PNP结构的中间晶圆；

对所述原始晶圆进行热氧化及注氢处理，得到顶层晶圆；

采用所述顶层晶圆和所述具备PNP结构的中间晶圆，制备获得具备浮体PNP结构的双埋氧绝缘体上硅DSOI晶圆。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用所述原始晶圆制备获得底层晶圆包括：

采用所述原始晶圆制备获得处理晶圆；

在所述处理晶圆的表面上键合所述原始晶圆，得到键合后的晶圆；

对所述键合后的晶圆进行热氧化处理，得到处理后的所述底层晶圆。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用所述原始晶圆制备获得处理晶圆包括：

对所述原始晶圆进行热氧化及注氢处理，得到第一晶圆；

将所述第一晶圆翻面与所述原始晶圆键合，得到第二晶圆；

采用层转移工艺将所述第二晶圆上多余的上层晶圆切割掉，得到切割后的所述处理晶圆。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述底层晶圆进行指定区域P掺杂及金属淀积处理，得到具备PNP结构的中间晶圆包括：

对所述底层晶圆进行刻蚀掩膜，得到所述底层晶圆上的两个空洞；

对所述底层晶圆上的两个空洞进行P掺杂及N区刻蚀，得到掺杂晶圆；

对所述掺杂晶圆进行金属布线区刻蚀，以获得具备PNP结构的刻蚀晶圆；

对所述具备PNP结构的刻蚀晶圆进行金属淀积及金属触点线引出，得到所述具备PNP结构的中间晶圆。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用所述顶层晶圆和所述具备PNP结构的中间晶圆，制备获得具备浮体PNP结构的DSOI晶圆包括：

将所述顶层晶圆翻面与所述中间晶圆键合，得到键合晶圆；

对所述键合晶圆进行层转移及刻蚀淀积处理，得到所述具备浮体PNP结构的DSOI晶圆。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述键合晶圆进行层转移及刻蚀淀积处理，得到所述具备浮体PNP结构的DSOI晶圆包括：

采用层转移工艺将所述键合晶圆上的多余上层晶圆切割掉，得到切割剩余晶圆；

对所述切割剩余晶圆的顶层晶圆和中间层晶圆进行刻蚀，以漏出所述切割剩余晶圆上的第一P型金属通孔、N型金属通孔及第二P型金属通孔；

对所述切割剩余晶圆上的第一P型金属通孔、N型金属通孔及第二P型金属通孔进行金属通孔淀积，从而获得所述具备浮体PNP结构的DSOI晶圆。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述具备浮体PNP结构的DSOI晶圆自下而上依次层叠包括：衬底、第二埋氧层BOX2、第二层硅膜SOI2、第一埋氧层BOX1及第一层硅膜SOI1；其中，所述衬底、所述第二埋氧层BOX2及所述第二层硅膜SOI2为制备的所述底层晶圆所提供，所述第一埋氧层BOX1及所述第一层硅膜SOI1为制备所述中间晶圆及所述顶层晶圆而提供。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述浮体PNP结构设置于所述第二层硅膜SOI2中。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述浮体PNP结构允许出现电压钳位现象，用于实现对应的静电放电ESD保护。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述具备浮体PNP结构的DSOI晶圆支持双向静电放电ESD保护。