[发明专利]微LED芯片及其封装方法、电子装置

权利要求书

1.一种封装方法，适用于微LED芯片封装，其特征在于，所述封装方法包括：

提供第一衬底，所述第一衬底上设有若干微LED芯片结构，任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距；

提供第二衬底，所述第二衬底上设有若干接收电极，每一接收电极上设置导电结合层，任意相邻的接收电极之间间隔第二间距，所述第二间距大于所述第一间距；

键合每一接收电极和对应的微LED芯片结构；以及

激光照射所述第一衬底，选择性转移与每一接收电极键合的微LED芯片结构至所述第二衬底上制得所述微LED芯片。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述微LED芯片为倒装结构微LED芯片。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述导电结合层为选自异方性导电胶层、锡膏层或者导电银胶。

4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述接收电极的边缘突出所述微LED芯片在所述第二衬底上投影的边缘。

5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，还包括：

于所述第二衬底形成若干通孔，若干通孔和若干接收电极一一对应，且每一接收电极自对应的通孔中露出；

于所述若干通孔中填充导通层；以及

于所述第二衬底远离所述若干微LED芯片结构的一侧形成若干焊接电极，若干焊接电极和若干接收电极一一对应；

其中，每一导通层导通对应的接收电极和焊接电极。

6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述导通层的材料选自金属铜、金属铝或者其组合。

7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，还包括：

形成若干辅助电极于所述第二衬底上，若干辅助电极与若干接收电极一一对应；

其中，每一辅助电极覆盖于对应的每一接收电极远离所述第二衬底一侧，且每一辅助电极电连接每一接收电极。

8.一种微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片包括：

衬底；

接收电极，所述接收电极设置于所述衬底一侧的表面上；

导电结合层，所述导电结合层设置于所述接收电极远离所述衬底一侧的表面上；以及

微LED芯片结构，所述微LED芯片结构的器件电极朝向所述衬底一侧伸出，且所述器件电极固定连接所述导电结合层。

9.根据权利要求8所述的微LED芯片，其特征在于，还包括焊接电极，所述焊接电极位于所述衬底远离所述微LED芯片结构一侧的表面上；

所述衬底还包括通孔和填充于所述通孔中的导通层，所述导通层导通所述焊接电极和所述接收电极。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括如权利要求8-9中任意一项所述的微LED芯片。