[发明专利]一种发光组件、其制作方法及发光装置在审
申请号: | 202110772461.0 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113571542A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 胡道兵 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 组件 制作方法 装置 | ||
本申请公开了一种发光组件及其制作方法、发光装置。发光组件包括磊晶基板、N型材料层、发光层、P型材料层、钝化层、阳极焊盘以及阴极焊盘,其中,阳极焊盘从P型材料层的上表面沿着钝化层延伸至磊晶基板上表面,阴极焊盘从P型材料层的上表面沿着钝化层延伸至N型材料表面再延伸至磊晶基板上表面。本申请一方面通过将焊盘设于发光层的侧壁及底部形成发光组件,避免相邻两个发光组件发出的不同颜色光线出现混光而造成颜色偏差,从而改善显示品质;另一方面通过将锡膏涂布在所述焊盘的侧壁及底部形成所述锡膏层,使得锡膏层与驱动基板焊盘的接触面积增大,提升发光组件抗推拉力性能,避免受力脱落,从而改善了显示品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种发光组件、其制作方法及发光装置。
背景技术
随着高端电视市场对画质的要求越来越高,提升显示画质成为高端电视的一个新需求。目前受限于补偿电路、背板技术及驱动设计等技术,8K有机发光二极管(OLED)的应用尚待开发。而次毫米发光二极管(Mini LED)作为一个全新的显示技术,在亮度、功耗上比有机发光二极管和双液晶显示屏具有优势。
但是随着次毫米发光二极管(Mini LED)、微发光二极管(Micro-LED)的发光二极管芯片越做越小,焊盘区域相应越做越小,导致发光二极管芯片的焊盘与基板接垫接触面积越来越小,发光二极管芯片抗推拉力性能越来越低,容易造成发光二极管芯片受力脱落问题,严重影响显示品质。
如图1所示,图1为现有的一种发光装置的结构示意图,所述发光装置90包括基板91和通过焊接在该基板91上的发光组件92,每一发光组件92包括半导体叠层921和阳极焊盘922、阴极焊盘923,其中阳极焊盘922、阴极焊盘923位于发光层921底部与所述基板91的接垫94电性连接,为了保证发光组件92的阳极焊盘922、阴极焊盘923与所述接垫94良好的连接,在所述基板91对应接垫94的位置设置锡膏93。光线的传输方向在图1中用箭头表示,由于发光组件92的分布区域小,若相邻两个发光组件92发出的光线颜色不同,则会在相交的光线位置出现混光,造成颜色偏差。而且由于阳极焊盘922、阴极焊盘923的底部与基板91上接垫94的接触面积小,导致发光组件92受推拉外力时从基板91上分离脱落。
发明内容
发明的目的在于,提供一种发光组件、其制作方法及发光装置,一方面用以解决相邻两个发光组件发出的不同颜色光线出现混光,造成颜色偏差的技术问题;另一方面用以解决发光二极管芯片的焊盘与接垫的接触面积越来越小,发光二极管芯片抗推拉力性能越来越低,容易造成发光二极管芯片受力脱落,严重影响显示品质的技术问题。
为了实现上述目的,本发明其中一实施例中提供一种发光组件,包括:磊晶基板;设置在所述磊晶基板上的N型材料层;设置在所述N型材料层上的发光层;设置在所述发光层上的P型材料层;钝化层,包覆所述P型材料层、所述发光层及所述N型材料层,所述钝化层在所述P型材料层上设有第一过孔,所述钝化层在所述N型材料层上设有第二过孔;设置在所述钝化层上的阳极焊盘,所述阳极焊盘透过所述第一过孔电性连接于所述P型材料层;以及设置在所述钝化层上的阴极焊盘,所述阴极焊盘透过所述第二过孔电性连接于所述N型材料层,其中,所述阳极焊盘从所述P型材料层的上表面沿着所述钝化层延伸至所述磊晶基板上表面,所述阴极焊盘从所述P型材料层的所述上表面沿着所述钝化层延伸至所述N型材料表面再延伸至所述磊晶基板的所述上表面。
于本申请一实施例所述的发光组件,其中,所述磊晶基板的上表面,沿所述磊晶基板四周设置有辅助凹槽,所述阳极焊盘及所述阴极焊盘延伸至所述辅助凹槽内。
于本申请一实施例所述的发光组件,其中,所述辅助凹槽中设置有切割凹槽,所述阳极焊盘及所述阴极焊盘延伸至所述切割凹槽内。
于本申请一实施例所述的发光组件,其中,所述阳极焊盘部分覆盖所述磊晶基板的三个侧面,所述阴极焊盘部分覆盖所述磊晶基板的三个侧面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的