[发明专利]一种发光组件、其制作方法及发光装置在审
申请号: | 202110772461.0 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113571542A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 胡道兵 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 组件 制作方法 装置 | ||
1.一种发光组件,其特征在于,包括:
磊晶基板;
设置在所述磊晶基板上的N型材料层;
设置在所述N型材料层上的发光层;
设置在所述发光层上的P型材料层;
钝化层,包覆所述P型材料层、所述发光层及所述N型材料层,所述钝化层在所述P型材料层上设有第一过孔,所述钝化层在所述N型材料层上设有第二过孔;
设置在所述钝化层上的阳极焊盘,所述阳极焊盘透过所述第一过孔电性连接于所述P型材料层;以及
设置在所述钝化层上的阴极焊盘,所述阴极焊盘透过所述第二过孔电性连接于所述N型材料层,其中,所述阳极焊盘从所述P型材料层的上表面沿着所述钝化层延伸至所述磊晶基板上表面,所述阴极焊盘从所述P型材料层的所述上表面沿着所述钝化层延伸至所述N型材料表面再延伸至所述磊晶基板的所述上表面。
2.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,所述磊晶基板的所述上表面,沿所述磊晶基板四周设置有辅助凹槽,所述阳极焊盘及所述阴极焊盘延伸至所述辅助凹槽内。
3.根据权利要求2所述的发光组件,其特征在于,所述辅助凹槽中设置有切割凹槽,所述阳极焊盘及所述阴极焊盘延伸至所述切割凹槽内。
4.根据权利要求2所述的发光组件,其特征在于,所述阳极焊盘部分覆盖所述磊晶基板的三个侧面,所述阴极焊盘部分覆盖所述磊晶基板的三个侧面。
5.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,所述磊晶基板的所述上表面,沿所述磊晶基板四周设置有切割凹槽,所述阳极焊盘及所述阴极焊盘延伸至所述切割凹槽内。
6.一种发光装置,其特征在于,包括:
阵列基板,包括多个成对设置的阳极接垫与阴极接垫,每对所述阳极接垫与所述阴极接垫在所述阵列基板上成阵列设置;
多个如权利要求1至权利要求5其中之一所述的发光组件以覆晶的方式设置于所述阵列基板上,其中每个所述发光组件的所述阳极焊盘与所述阴极焊盘分别与一对所述阳极接垫与所述阴极接垫电性连接;以及
多个锡膏层,其中所述阳极焊盘与所述阳极接垫之间设置一个所述锡膏层且所述锡膏层部分覆盖于所述阳极焊盘的侧壁及底部,所述阴极焊盘与所述阴极接垫之间设置一个所述锡膏层且所述锡膏层部分覆盖于所述阴极焊盘的侧壁及底部。
7.一种发光组件的制作方法,其特征在于,包括步骤:
在磊晶基板上设置半导体发光叠层;
蚀刻所述半导体发光叠层以形成多个半导体发光单体;
沉积钝化层覆盖所述多个半导体发光单体;
蚀刻所述钝化层以在每个所述半导体发光单体上形成第一过孔与第二过孔;
蒸镀金属材料覆盖所述钝化层、所述第一过孔与所述第二过孔;以及
图案化所述金属材料以在每个所述半导体发光单体上形成阳极焊盘与阴极焊盘,其中所述阳极焊盘与所述阴极焊盘相对设置,所述阳极焊盘从所述钝化层的上表面沿着所述钝化层的侧面延伸至所述磊晶基板的上表面,所述阴极焊盘从所述钝化层的所述上表面沿着所述钝化层的另一侧面延伸至所述磊晶基板的所述上表面。
8.根据权利要求7所述的发光组件的制作方法,其特征在于,还包括步骤:
使用雷射切割所述磊晶基板以在所述每个半导体发光单体四周形成槽线;以及
分离所述半导体发光单体以形成所述发光组件。
9.根据权利要求7所述的发光组件的制作方法,其特征在于,在磊晶基板上设置半导体发光叠层步骤之前,还包括步骤:使用雷射切割所述磊晶基板以在所述磊晶基板的所述上表面形成辅助凹槽。
10.根据权利要求7或权利要求9所述的发光组件的制作方法,其特征在于,在沉积钝化层覆盖所述多个半导体发光单体步骤之后,还包括步骤:使用雷射切割所述磊晶基板以在所述每个半导体发光单体四周形成切割凹槽。
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