[发明专利]一种芯片封装方法在审
申请号: | 202110772117.1 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN114914163A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 李世玮;卢智铨;邱幸;涂宁 | 申请(专利权)人: | 香港科技大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张娜;李荣胜 |
地址: | 中国香港*** | 国省代码: | 香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 方法 | ||
根据本公开的一个方面,提供了一种芯片封装方法,包括:在单个芯片上形成介电层,其中,所述介电层暴露出所述单个芯片的引脚;以及在所述介电层远离所述单个芯片的一侧形成导电层,其中,所述导电层与所述单个芯片的从所述介电层暴露出的引脚连接,其中,采用增材制造技术形成所述介电层和所述导电层。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种芯片封装方法。
背景技术
电子封装在半导体行业具有重要作用。电子器件的性能明显取决于电路的设计和封装方法。目前,芯片级封装(Chip Scale Package,CSP)结合重分布层(Re-DistributionLayer,RDL)技术已经普遍应用于高端消费电子产品中,例如智能手机。集成电路(integrated circuit,IC)元件中采用的CSP封装方法正在逐渐取代传统的引线键合型封装方法。芯片级封装具有以下优势:优异的电子性能,较小的封装尺寸,以及量产下的低成本。同时,芯片级封装技术也可与表面贴焊(装)技术(Surface Mounted Technology,SMT)相兼容。
CSP封装方法和传统的引线键合型封装方法有很多的不同。采用引线键合型封装方法,在芯片切割以后实现芯片键合、引线键合和封装工艺。CSP封装方法是先完成整片晶圆封装,最后切割封装后的晶圆。RDL是实现CSP封装的关键技术。RDL是由铜走线和介电层组成,其中铜走线将IC上的细间距焊盘引向适合SMT组装的较粗间距阵列。锡球焊接在芯片焊盘上,以便用于后续板级组装以实现电信号相互连接。锡球焊接取代了传统的引线键合焊接方法,缩短了连接路径从而减小了寄生电感与电阻,可以实现电子器件在高频下工作。这使得CSP封装方法相较于引线键合型封装方法更适合应用于例如Wi-Fi、蓝牙、收发器、电源管理IC和DC/DC(Direct Current/Direct Current)转换器等需要高带宽电子器件的封装工艺。
发明内容
根据本公开的实施例,提供了一种芯片封装方法,包括:在单个芯片上形成介电层,其中,所述介电层暴露出所述单个芯片的引脚;以及在所述介电层远离所述单个芯片的一侧形成导电层,其中,所述导电层与所述单个芯片的从所述介电层暴露出的引脚连接,其中,采用增材制造技术形成所述介电层和所述导电层。
在一些实施例中,采用增材制造技术将介电材料打印在所述单个芯片上以形成所述介电层。
在一些实施例中,所述介电材料包括聚酰亚胺、苯并环丁烯和聚苯并恶唑中的至少一种。
在一些实施例中,采用增材制造技术将导电材料打印在所述单个芯片的暴露出的引脚上以及所述介电层上以形成所述导电层。
在一些实施例中,采用喷墨打印技术和气溶胶喷射打印技术中的一者将所述介电材料打印在所述单个芯片上、和将所述导电材料打印在所述单个芯片的暴露出的引脚以及所述介电层上。
在一些实施例中,所述导电材料包括用于形成所述导电层中的走线的第一导电材料、和用于形成所述导电层中的焊盘的第二导电材料。
在一些实施例中,采用所述第一导电材料制成第一导电墨水,采用所述第二导电材料制成第二导电墨水,来进行打印以形成所述导电层。
在一些实施例中,所述第一导电墨水和所述第二导电墨水中的每一个为纳米导电颗粒墨水或无颗粒导电墨水。
在一些实施例中,所述第一导电墨水和所述第二导电墨水包括银墨水和铜墨水。
在一些实施例中,所述芯片封装方法还包括采用增材制造技术,在所述导电层上形成阻焊层,所述阻焊层暴露所述焊盘。
在一些实施例中,所述阻焊层的材料包括聚酰亚胺、苯并环丁烯和聚苯并恶唑中的至少一种。
在一些实施例中,所述芯片封装方法还包括在从所述阻焊层暴露的所述焊盘上焊接焊球。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造