[发明专利]一种芯片封装方法在审

专利信息
申请号: 202110772117.1 申请日: 2021-07-08
公开(公告)号: CN114914163A 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 李世玮;卢智铨;邱幸;涂宁 申请(专利权)人: 香港科技大学
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张娜;李荣胜
地址: 中国香港*** 国省代码: 香港;81
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装方法,包括:

在单个芯片上形成介电层,其中,所述介电层暴露出所述单个芯片的引脚;以及

在所述介电层远离所述单个芯片的一侧形成导电层,其中,所述导电层与所述单个芯片的从所述介电层暴露出的引脚连接,

其中,采用增材制造技术形成所述介电层和所述导电层。

2.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其中,采用增材制造技术将介电材料打印在所述单个芯片上以形成所述介电层。

3.根据权利要求2所述的芯片封装方法,其中,所述介电材料包括聚酰亚胺、苯并环丁烯和聚苯并恶唑中的至少一种。

4.根据权利要求2或3所述的芯片封装方法,其中,采用增材制造技术将导电材料打印在所述单个芯片的暴露出的引脚上以及所述介电层上以形成所述导电层。

5.根据权利要求4所述的芯片封装方法,其中,采用喷墨打印技术和气溶胶喷射打印技术中的一者将所述介电材料打印在所述单个芯片上、和将所述导电材料打印在所述单个芯片的暴露出的引脚以及所述介电层上。

6.根据权利要求5所述的芯片封装方法,其中,所述导电材料包括用于形成所述导电层中的走线的第一导电材料、和用于形成所述导电层中的焊盘的第二导电材料。

7.根据权利要求6所述的芯片封装方法,其中,采用所述第一导电材料制成第一导电墨水,采用所述第二导电材料制成第二导电墨水,来进行打印以形成所述导电层。

8.根据权利要求7所述的芯片封装方法,其中,所述第一导电墨水和所述第二导电墨水中的每一个为纳米导电颗粒墨水或无颗粒导电墨水。

9.根据权利要求8所述的芯片封装方法,其中,所述第一导电墨水和所述第二导电墨水包括银墨水和铜墨水。

10.根据权利要求5-9中任一项所述的芯片封装方法,还包括采用增材制造技术,在所述导电层上形成阻焊层,所述阻焊层暴露焊盘。

11.根据权利要求10所述的芯片封装方法,其中,

所述阻焊层的材料包括聚酰亚胺、苯并环丁烯和聚苯并恶唑中的至少一种。

12.根据权利要求11所述的芯片封装方法,还包括在从所述阻焊层暴露的所述焊盘上焊接焊球。

13.根据权利要求12所述的芯片封装方法,还包括在形成所述介电层的过程中,在将所述介电材料打印在所述单个芯片上之后以及形成所述导电层之前,对所述介电材料进行固化处理。

14.根据权利要求12所述的芯片封装方法,还包括在形成所述导电层的过程中,在将所述第一导电墨水和所述第二导电墨水打印至所述介电层上之后以及在形成所述阻焊层之前,对所述第一导电墨水和所述第二导电墨水进行烧结固化处理。

15.根据权利要求12所述的芯片封装方法,还包括在形成所述阻焊层过程中,在将所述阻焊材料打印至所述导电层之后以及在移植所述焊球之前,对所述阻焊材料进行固化处理。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港科技大学,未经香港科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110772117.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top