[发明专利]一种芯片封装方法在审
申请号: | 202110772117.1 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN114914163A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 李世玮;卢智铨;邱幸;涂宁 | 申请(专利权)人: | 香港科技大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张娜;李荣胜 |
地址: | 中国香港*** | 国省代码: | 香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 方法 | ||
1.一种芯片封装方法,包括:
在单个芯片上形成介电层,其中,所述介电层暴露出所述单个芯片的引脚;以及
在所述介电层远离所述单个芯片的一侧形成导电层,其中,所述导电层与所述单个芯片的从所述介电层暴露出的引脚连接,
其中,采用增材制造技术形成所述介电层和所述导电层。
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其中,采用增材制造技术将介电材料打印在所述单个芯片上以形成所述介电层。
3.根据权利要求2所述的芯片封装方法,其中,所述介电材料包括聚酰亚胺、苯并环丁烯和聚苯并恶唑中的至少一种。
4.根据权利要求2或3所述的芯片封装方法,其中,采用增材制造技术将导电材料打印在所述单个芯片的暴露出的引脚上以及所述介电层上以形成所述导电层。
5.根据权利要求4所述的芯片封装方法,其中,采用喷墨打印技术和气溶胶喷射打印技术中的一者将所述介电材料打印在所述单个芯片上、和将所述导电材料打印在所述单个芯片的暴露出的引脚以及所述介电层上。
6.根据权利要求5所述的芯片封装方法,其中,所述导电材料包括用于形成所述导电层中的走线的第一导电材料、和用于形成所述导电层中的焊盘的第二导电材料。
7.根据权利要求6所述的芯片封装方法,其中,采用所述第一导电材料制成第一导电墨水,采用所述第二导电材料制成第二导电墨水,来进行打印以形成所述导电层。
8.根据权利要求7所述的芯片封装方法,其中,所述第一导电墨水和所述第二导电墨水中的每一个为纳米导电颗粒墨水或无颗粒导电墨水。
9.根据权利要求8所述的芯片封装方法,其中,所述第一导电墨水和所述第二导电墨水包括银墨水和铜墨水。
10.根据权利要求5-9中任一项所述的芯片封装方法,还包括采用增材制造技术,在所述导电层上形成阻焊层,所述阻焊层暴露焊盘。
11.根据权利要求10所述的芯片封装方法,其中,
所述阻焊层的材料包括聚酰亚胺、苯并环丁烯和聚苯并恶唑中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的芯片封装方法,还包括在从所述阻焊层暴露的所述焊盘上焊接焊球。
13.根据权利要求12所述的芯片封装方法,还包括在形成所述介电层的过程中,在将所述介电材料打印在所述单个芯片上之后以及形成所述导电层之前,对所述介电材料进行固化处理。
14.根据权利要求12所述的芯片封装方法,还包括在形成所述导电层的过程中,在将所述第一导电墨水和所述第二导电墨水打印至所述介电层上之后以及在形成所述阻焊层之前,对所述第一导电墨水和所述第二导电墨水进行烧结固化处理。
15.根据权利要求12所述的芯片封装方法,还包括在形成所述阻焊层过程中,在将所述阻焊材料打印至所述导电层之后以及在移植所述焊球之前,对所述阻焊材料进行固化处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造