[发明专利]一种异质结电池及其制备方法

说明书

一种异质结电池及其制备方法，异质结电池的制备方法包括：提供半导体衬底层；对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理，以使得至少所述半导体衬底层的背面呈光面；对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理之后，在所述半导体衬底层的背面形成保护层；以所述保护层为掩膜，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理，所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面；之后，去除所述保护层；之后，在所述半导体衬底层的正面一侧形成第一掺杂半导体层，在所述半导体衬底层的背面一侧形成第二掺杂半导体层；其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反。该方法使得异质结电池的光电转换效率得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种异质结电池及其制备方法。

背景技术

太阳能电池(Solar Cell)是通过吸收太阳光，将太阳辐射能通过光电效应直接转换成电能的装置。太阳能电池是一种清洁能源电池，广泛的应用在生活和生产中。异质结(HeteroJunction with intrinsic Thinlayer，简称HJT)太阳能电池是一种重要的太阳能电池，异质结电池结构是以N型硅衬底为中心，在P型非晶硅和N型非晶硅与N型硅衬底之间增加一层本征非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能，因而使异质结太阳能电池的转换效率提高。另外，异质结太阳能电池具有温度系数好、可以双面发电、工艺温度低、转换效率高等特点，是非常具有市场竞争力的太阳能电池技术。

目前异质结电池的光电转换效率还有待提高。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中异质结电池的光电转换效率有待提高的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种异质结电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层；对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理，以使得至少所述半导体衬底层的背面呈光面；对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理之后，在所述半导体衬底层的背面形成保护层；以所述保护层为掩膜，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理，所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面；在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理之后，去除所述保护层；去除所述保护层之后，在所述半导体衬底层的正面一侧形成第一掺杂半导体层，在所述半导体衬底层的背面一侧形成第二掺杂半导体层；其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反。

可选的，所述腐蚀处理采用碱液，所述碱液包括KOH溶液，KOH的质量百分比浓度为8％-12％,温度为75℃-80℃。

可选的，所述保护层的材料包括氮化硅。

可选的，所述保护层的厚度为75纳米-120纳米。

可选的，还包括：在进行所述腐蚀处理之后、形成所述保护层之前，进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述半导体衬底层两侧分别形成第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层的表面位于所述半导体衬底层的正面，所述第二掺杂层的表面位于所述半导体衬底层的背面且被所述保护层覆盖，所述扩散退火处理适于将所述半导体衬底层内部的杂质迁移至所述第一掺杂层和第二掺杂层中；进行所述扩散退火处理之后，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理之前，去除所述第一掺杂层；

在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理之后，去除所述第二掺杂层。

可选的，所述扩散退火处理在扩散炉管中进行，所述扩散退火处理采用的气源为含磷气源；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中含有磷离子。

可选的，所述含磷气源包括O₂和POCl₃。

可选的，所述扩散退火处理采用的温度为600℃-1200℃；所述扩散退火处理采用的时间为10min-120min；

可选的，所述扩散退火处理采用的温度为800℃-900℃；