[发明专利]存储器及其制造方法

说明书

本申请实施例公开了一种存储器及其制造方法，所述存储器包括：衬底；在所述衬底表面的至少一对晶体管；所述晶体管的导电沟道在垂直于衬底表面的方向延伸；存储层；所述存储层位于晶体管一侧并与所述晶体管的导电沟道连通，且所述一对晶体管位于与所述一对晶体管对应的两层所述存储层之间；所述存储层用于存储电荷以及与相连通的所述导电沟道进行电荷传递。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造技术，涉及但不限于一种存储器及其制造方法。

背景技术

着半导体市场需求的不断增长，半导体存储器技术迅速发展，存储器的制造技术，特别是动态随机存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)技术得到了迅猛的发展，并在存储器市场中占据了主要位置。常见的DRAM单元由一个晶体管(Transistor)和一个电容器(Capacitor)构成1TlC结构，通过电容器上是否存储电荷区分逻辑状态。然而，目前市场对存储器的存储性能和单元尺寸提出越来越高的要求，给存储器的设计与制造带来了严峻的挑战。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种存储器及其制造方法，所述存储器包括：

衬底；

在所述衬底表面的至少一对晶体管；所述晶体管的导电沟道在垂直于衬底表面的方向延伸；

存储层；所述存储层位于晶体管一侧并与所述晶体管的导电沟道连通，且所述一对晶体管位于与所述一对晶体管对应的两层所述存储层之间；所述存储层用于存储电荷以及与相连通的所述导电沟道进行电荷传递。

在一些实施例中，所述晶体管的源极位于所述导电沟道靠近所述衬底表面的一端；

所述晶体管的漏极位于所述导电沟道远离所述衬底表面的一端。

在一些实施例中，所述晶体管的源极周围覆盖有第一绝缘层；所述第一绝缘层的相对于所述衬底表面的高度高于所述源极相对于所述衬底表面的高度。

在一些实施例中，所述晶体管连通有所述存储层的一侧具有第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述存储层且所述第二绝缘层与所述第一绝缘层连通。

在一些实施例中，所述存储器还包括：

至少一条位线，位于所述晶体管远离所述衬底表面的一侧，与所述晶体管的漏极连接。

在一些实施例中，所述位线覆盖在至少一对所述晶体管漏极的表面。

在一些实施例中，所述一对晶体管的栅极分别位于平行于所述导电沟道的一侧，且所述一对晶体管的栅极位于所述一对晶体管的导电沟道之间。

在一些实施例中，所述栅极包括：

栅极氧化层和栅极导电层；

所述栅极氧化层位于所述栅极导电层与所述导电沟道之间；或

所述栅极氧化层包裹所述栅极导电层，且与所述导电沟道相连。

在一些实施例中，所述存储器还包括：

栅极保护层，覆盖于所述栅极远离所述衬底表面的一侧。

在一些实施例中，所述至少两个所述晶体管的栅极连通；其中，所述连通的栅极为所述至少两个晶体管的字线；所述至少两个晶体管为位于同一直线且不同对的晶体管。

本申请实施例还提供一种存储器的制造方法，所述方法包括：

在衬底表面形成至少一对晶体管；其中，所述晶体管的导电沟道在垂直于衬底表面的方向延伸；