[发明专利]制备三维存储器的方法

权利要求书

1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成下部叠层结构并且在所述下部叠层结构的远离所述衬底的一侧上形成连接层；

形成穿透所述下部叠层结构的第一沟道孔和穿透所述连接层的贯穿孔；

利用扩孔插塞作为蚀刻阻挡结构扩大所述贯穿孔的至少部分的孔径，以形成第二沟道孔，所述扩孔插塞由碳材料形成；以及

利用气体对所述扩孔插塞的侧表面的至少部分进行表面处理改性，使得所述扩孔插塞的侧表面的所述至少部分具有疏水性，

其中，所述气体为无氧原子气体，所述无氧原子气体为氢气。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在对所述扩孔插塞的侧表面进行所述表面处理改性之前，利用所述气体部分地去除所述扩孔插塞以暴露所述贯穿孔的一部分。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面处理改性使得所述扩孔插塞的侧表面的所述至少部分形成C-H键。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一沟道孔中填充第一牺牲插塞；

对所述第二沟道孔的内侧表面进行所述表面处理改性；以及

在所述第二沟道孔中填充第二牺牲插塞，使得所述第二牺牲插塞与所述第二沟道孔的内侧表面发生化学键合。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第二牺牲插塞由碳材料形成，

所述方法还包括：利用所述气体对所述第二沟道孔的内侧表面的至少部分进行表面处理改性，使得在填充所述第二牺牲插塞之后，所述第二沟道孔的内侧表面的所述至少部分具有增强的附着力。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述表面处理改性使得所述第二沟道孔的内侧表面形成第一化学键；以及

所述化学键合使得所述第二沟道孔的内侧表面形成不同于所述第一化学键的第二化学键。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一化学键的活性大于所述第二化学键的活性。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一化学键为Si-H键，以及所述第二化学键为Si-C键。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述第二牺牲插塞的上表面形成为与所述连接层的上表面齐平；以及

所述方法还包括：

在所述第二牺牲插塞的上表面和所述连接层的上表面上形成上部叠层结构；以及

对所述下部叠层结构、所述连接层和所述上部叠层结构进行热退火处理。

10.如权利要求1-9中任一项所述的方法，其特征在于，所述表面处理改性包括：利用所述气体对待处理的表面进行等离子处理，使得经处理的表面的化学键发生断裂。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述等离子处理的时间为30秒。

12.如权利要求1-9中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一沟道孔和所述第二沟道孔连通并且同轴。