[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110716894.4 | 申请日: | 2021-06-28 |
公开(公告)号: | CN113488515A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 罗欢;王敏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括弯折区和与所述弯折区连接的非弯折区,所述制备方法包括:形成一牺牲层于一第一玻璃基板上,且位于所述弯折区;形成一柔性层于所述牺牲层及所述玻璃基板上,且从所述非弯折区延伸至所述弯折区;形成一显示基板于所述柔性层上,且从所述非弯折区延伸至所述弯折区;形成一柔性封装层于所述显示基板上,且位于所述非弯折区;形成一抗酸保护层于所述柔性封装层上,且包覆所述柔性封装层及部分所述显示基板的边侧,且位于所述非弯折区;以及对所述第一玻璃基板远离所述柔性封装层的一侧表面进行蚀刻减薄处理,形成第二玻璃基板。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板的制备方法。
背景技术
随着社会的发展与人们需求的不断提高,未来的显示朝着柔性折叠的方向发展,而柔性屏对基板的机械强度和应力释放要求非常高。一般来说,需要经过上10万次的卷曲测试,因此,对柔性面板结构设计和材料强度都提出了很高的要求。
对于大尺寸顶发光卷曲显示屏(Rollable panel)而言,其具有两种制作方案。
其一,在刚性玻璃上整面涂布一层PI材料,形成柔性基底;再在柔性基底上依次形成TFT(阵列基板)、发光层(EL)和柔性封装层;最后使用LLO(Laser Lift Off,激光剥离)技术将刚性玻璃与PI柔性基底剥离,形成柔性屏。但是,这种激光剥离的方式在大尺寸基板是应用,经常因为静电释放和均一性较差导致良率很低,不适合大尺寸柔性屏的大规模量产。
其二,采用蚀刻技术将TFT玻璃基板减薄至微米级厚度,从而实现一定程度的卷曲达到柔性显示的效果。但是,这种整面减薄的技术方案在显示屏卷曲到一定程度后,玻璃基板容易破裂,且无法满足卷曲显示屏(Rollable panel)的要求。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种显示面板及其制备方法,以解决显示面板整面减薄卷曲时因应力导致的破裂的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括弯折区和与所述弯折区连接的非弯折区,所述制备方法包括:形成一牺牲层于一第一玻璃基板上,且位于所述弯折区;形成一柔性层于所述牺牲层及所述玻璃基板上,且从所述非弯折区延伸至所述弯折区;形成一显示基板于所述柔性层上,且从所述非弯折区延伸至所述弯折区;形成一柔性封装层于所述显示基板上,且位于所述非弯折区;形成一抗酸保护层于所述柔性封装层上,且包覆所述柔性封装层及部分所述显示基板的边侧,且位于所述非弯折区;以及对所述第一玻璃基板远离所述柔性封装层的一侧表面进行蚀刻减薄处理,形成第二玻璃基板。
进一步地,在所述第二玻璃基板的形成步骤中,采用酸性蚀刻液对所述玻璃基板远离所述柔性层的一侧表面进行蚀刻减薄处理,形成所述第二玻璃基板。
进一步地,所述酸性蚀刻液为氢氟酸。
进一步地,在所述第二玻璃基板的形成步骤之后,还包括:对位于所述弯折区的所述第二玻璃基板进行光照处理;对位于所述弯折区的所述柔性层与所述第二玻璃基板进行剥离处理;对位于所述弯折区的所述第二玻璃基板进行切割处理,使得所述柔性层与所述牺牲层和所述第二玻璃基板同时剥落;以及贴附一保护膜于所述第二玻璃基板且远离所述柔性封装层的一侧表面。
进一步地,采用UV光对位于所述弯折区的第二玻璃基板进行光照处理。
进一步地,在所述保护膜的贴附步骤之后,还包括:对位于弯折区的所述柔性层及部分所述显示基板进行弯折处理,且使得所述柔性层贴附于所述保护膜且远离柔性封装层的一侧表面。
进一步地,在所述牺牲层的形成步骤中,所述牺牲层位于所述玻璃基板的两侧,且靠近所述玻璃基板的边缘处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的