[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110716894.4 | 申请日: | 2021-06-28 |
公开(公告)号: | CN113488515A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 罗欢;王敏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括弯折区和与所述弯折区连接的非弯折区,所述制备方法包括:
形成一牺牲层于一第一玻璃基板上,且位于所述弯折区;
形成一柔性层于所述牺牲层及所述玻璃基板上,且从所述非弯折区延伸至所述弯折区;
形成一显示基板于所述柔性层上,且从所述非弯折区延伸至所述弯折区;
形成一柔性封装层于所述显示基板上,且位于所述非弯折区;
形成一抗酸保护层于所述柔性封装层上,且包覆所述柔性封装层及部分所述显示基板的边侧,且位于所述非弯折区;以及
对所述第一玻璃基板远离所述柔性封装层的一侧表面进行蚀刻减薄处理,形成第二玻璃基板。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述第二玻璃基板的形成步骤中,
采用酸性蚀刻液对所述玻璃基板远离所述柔性层的一侧表面进行蚀刻减薄处理,形成所述第二玻璃基板。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述酸性蚀刻液为氢氟酸。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述第二玻璃基板的形成步骤之后,还包括:
对位于所述弯折区的所述第二玻璃基板进行光照处理;
对位于所述弯折区的所述柔性层与所述第二玻璃基板进行剥离处理;
对位于所述弯折区的所述第二玻璃基板进行切割处理,使得所述柔性层与所述牺牲层和所述第二玻璃基板同时剥落;以及
贴附一保护膜于所述第二玻璃基板且远离所述柔性封装层的一侧表面。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
采用UV光对位于所述弯折区的第二玻璃基板进行光照处理。
6.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述保护膜的贴附步骤之后,还包括:
对位于弯折区的所述柔性层及部分所述显示基板进行弯折处理,且使得所述柔性层贴附于所述保护膜且远离柔性封装层的一侧表面。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述牺牲层的形成步骤中,
所述牺牲层位于所述玻璃基板的两侧,且靠近所述玻璃基板的边缘处。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述显示基板形成的步骤中,包括:
形成一缓冲层于所述柔性层上,且从所述非弯折区延伸至所述弯折区;
形成一阵列基板于所述缓冲层上,且从所述非弯折区延伸至所述弯折区;
形成一平坦层于所述阵列基板上,且位于所述非弯折区;
形成一像素定义层于所述平坦层上,且使得所述像素定义层具有多个像素单元,两个相邻的像素单元形成一凹槽;
形成发光器件于所述凹槽内;以及
形成一覆盖层于所述发光器件上。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述第一玻璃基板的厚度为0.5mm;
所述第二玻璃基板的厚度为100μm-200μm。
10.一种根据权利要求1-9任一项所述的制备方法制备的显示面板,其特征在于,包括弯折区和与所述弯折区连接的非弯折区,还包括:
保护膜,位于所述非弯折区;
第二玻璃基板,设于所述保护膜上,且位于所述非弯折区;
柔性层,设于所述第二玻璃基板上,且从所述非弯折区延伸至所述弯折区;
显示基板,设于所述柔性层上,且从所述非弯折区延伸至所述弯折区;
柔性封装层,设于所述显示基板上,且位于所述非弯折区;以及
抗酸保护层,贴附于所述柔性封装层,包覆所述柔性封装层的边侧及部分所述显示基板的边侧,且位于所述非弯折区;
其中,部分所述显示基板与所述柔性层从所述第二玻璃基板的一侧表面弯折延伸至所述第二玻璃基板的另一侧表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的