[发明专利]在晶体管的有源区域中具有I/O端口的晶体管

说明书

本公开涉及在晶体管的有源区域中具有I/O端口的晶体管。一种半导体装置包括形成在衬底中的有源区。所述有源区包括安置在所述衬底内且彼此基本上平行地朝向的输入指、输出指和共同指。输入端口电连接到所述输入指且输出端口电连接到所述输出指。共同区电连接到所述共同指。所述输入端口和所述输出端口中的至少一个在所述有源区内定位在所述输入指、所述输出指和所述共同指之间。所述共同区插入在所述共同指的对之间，使得所述对的所述共同指被间隙隔开，并且所述输入端口和所述输出端口中的至少一个定位在所述间隙中。

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置。更具体地说，本发明涉及一种晶体管布局，所述晶体管布局利用位于晶体管的有源区域内且定位在输入指、输出指和共同指之间的输入和输出(input and output，I/O)端口。

背景技术

晶体管装置用于各种各样的电子电路应用中。场效应晶体管(Field-EffectTransistor，FET)装置通常包括漏极引线、源极引线和栅极引线。沟道安置在漏极和源极之间，并且沟道是FET装置的在FET装置接通时传导电流的部分。栅极是装置的用于控制沟道中的电流流动的控制输入。

在各种电路应用中，FET装置可以用作双端口有源装置。在双端口配置中，三个FET引线中的两个充当输入端口和输出端口，并且第三FET引线用作连接到电路的接地电位的共同连接件。取决于特定双端口配置，三个FET引线中的任一个可以用作输入端口、输出端口或共同连接件。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：

有源区，所述有源区形成在衬底中，所述有源区包括安置在所述衬底内且彼此基本上平行地朝向的输入指、输出指和共同指；

输入端口，所述输入端口电连接到所述输入指；

输出端口，所述输出端口电连接到所述输出指；以及

共同区，所述共同区电连接到所述共同指，其中所述输入端口和所述输出端口中的至少一个在所述有源区内定位在所述输入指、所述输出指和所述共同指之间。

在一个或多个实施例中，所述共同区插入在所述共同指的对之间，使得所述对的所述共同指被间隙隔开，所述共同区电连接到所述对的所述共同指中的每一个；并且

所述输入端口和所述输出端口中的至少一个定位在所述间隙中。

在一个或多个实施例中，所述对的所述共同指中的每一个具有所述共同区所处的中间区，所述间隙是所述共同区的第一侧处的第一间隙，第二间隙形成在所述共同区的第二侧处；

所述输入端口定位在所述第一间隙中；并且

所述输出端口定位在所述第二间隙中。

在一个或多个实施例中，所述共同区插入在所述输入端口和所述输出端口之间且与所述输入端口和所述输出端口中的每一个电隔离。

在一个或多个实施例中，所述共同区包括延伸穿过所述衬底且连接到所述半导体装置的共同节点的通孔连接件。

在一个或多个实施例中，所述通孔连接件是第一通孔连接件，并且所述共同区进一步包括与所述第一通孔连接件隔开的第二通孔连接件，所述第二通孔连接件延伸穿过所述衬底且连接到所述半导体装置的所述共同节点。

在一个或多个实施例中，所述通孔连接件具有非圆形横截面，所述非圆形横截面具有主轴和次轴，所述主轴具有主轴长度且所述次轴具有小于所述主轴长度的次轴长度，并且所述主轴朝向成平行于所述输入指、所述输出指和所述共同指的纵向尺寸。

在一个或多个实施例中，所述输入端口包括输入键合垫；并且

所述输出端口包括输出键合垫，所述输入键合垫和所述输出键合垫中的每一个被配置成用于接线键合。