[发明专利]在晶体管的有源区域中具有I/O端口的晶体管在审

专利信息
申请号: 202110708791.3 申请日: 2021-06-25
公开(公告)号: CN114068580A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: I·克哈莉;K·金;H·卡比尔 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: H01L27/118 分类号: H01L27/118
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 张小稳
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶体管 有源 区域 具有 端口
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括:

有源区,所述有源区形成在衬底中,所述有源区包括安置在所述衬底内且彼此基本上平行地朝向的输入指、输出指和共同指;

输入端口,所述输入端口电连接到所述输入指;

输出端口,所述输出端口电连接到所述输出指;以及

共同区,所述共同区电连接到所述共同指,其中所述输入端口和所述输出端口中的至少一个在所述有源区内定位在所述输入指、所述输出指和所述共同指之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述共同区插入在所述共同指的对之间,使得所述对的所述共同指被间隙隔开,所述共同区电连接到所述对的所述共同指中的每一个;并且

所述输入端口和所述输出端口中的至少一个定位在所述间隙中。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

所述对的所述共同指中的每一个具有所述共同区所处的中间区,所述间隙是所述共同区的第一侧处的第一间隙,第二间隙形成在所述共同区的第二侧处;

所述输入端口定位在所述第一间隙中;并且

所述输出端口定位在所述第二间隙中。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,所述共同区插入在所述输入端口和所述输出端口之间且与所述输入端口和所述输出端口中的每一个电隔离。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述共同区包括延伸穿过所述衬底且连接到所述半导体装置的共同节点的通孔连接件。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述输入端口包括输入键合垫;并且

所述输出端口包括输出键合垫,所述输入键合垫和所述输出键合垫中的每一个被配置成用于接线键合。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述输入端口包括输入垫;

所述输出端口包括输出垫;并且

所述共同区包括共同垫,所述输入垫、所述输出垫和所述共同垫中的每一个被配置成用于倒装芯片键合。

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述输入指是晶体管的栅极指,所述输出指是所述晶体管的漏极指,并且所述共同指是所述晶体管的源极指。

9.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括:

有源区,所述有源区形成在衬底中,所述有源区包括安置在所述衬底内且彼此基本上平行地朝向的输入指、输出指和共同指;

输入端口,所述输入端口电连接到所述输入指;

输出端口,所述输出端口电连接到所述输出指;以及

共同区,所述共同区插入在所述共同指的对之间,所述共同区位于所述对的所述共同指中的每一个的中间区处,并且所述共同区电连接到所述对的所述共同指中的每一个,其中所述共同指被所述共同区的第一侧处的第一间隙隔开,所述共同指被所述共同区的第二侧处的第二间隙隔开,所述输入端口在所述有源区内位于所述第一间隙中且所述输出端口在所述有源区内位于所述第二间隙中,并且所述共同区与所述第一输出端口和所述第二输出端口中的每一个电隔离。

10.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括:

有源区,所述有源区形成在衬底中,所述有源区包括安置在所述衬底内且彼此基本上平行地朝向的输入指、输出指和共同指;

输入键合垫,所述输入键合垫电连接到所述输入指;

输出键合垫,所述输出键合电连接到所述输出指;以及

共同区,所述共同区电连接到所述共同指,所述共同区包括延伸穿过所述衬底且连接到所述半导体装置的共同节点的通孔连接件,其中所述输入键合垫和所述输出键合垫中的至少一个在所述有源区内定位在所述共同指的对之间,并且所述输入键合垫和所述输出键合垫中的每一个被配置成用于接线键合。

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