[发明专利]在晶体管的有源区域中具有I/O端口的晶体管在审
申请号: | 202110708791.3 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN114068580A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | I·克哈莉;K·金;H·卡比尔 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L27/118 | 分类号: | H01L27/118 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 有源 区域 具有 端口 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括:
有源区,所述有源区形成在衬底中,所述有源区包括安置在所述衬底内且彼此基本上平行地朝向的输入指、输出指和共同指;
输入端口,所述输入端口电连接到所述输入指;
输出端口,所述输出端口电连接到所述输出指;以及
共同区,所述共同区电连接到所述共同指,其中所述输入端口和所述输出端口中的至少一个在所述有源区内定位在所述输入指、所述输出指和所述共同指之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述共同区插入在所述共同指的对之间,使得所述对的所述共同指被间隙隔开,所述共同区电连接到所述对的所述共同指中的每一个;并且
所述输入端口和所述输出端口中的至少一个定位在所述间隙中。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
所述对的所述共同指中的每一个具有所述共同区所处的中间区,所述间隙是所述共同区的第一侧处的第一间隙,第二间隙形成在所述共同区的第二侧处;
所述输入端口定位在所述第一间隙中;并且
所述输出端口定位在所述第二间隙中。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,所述共同区插入在所述输入端口和所述输出端口之间且与所述输入端口和所述输出端口中的每一个电隔离。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述共同区包括延伸穿过所述衬底且连接到所述半导体装置的共同节点的通孔连接件。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述输入端口包括输入键合垫;并且
所述输出端口包括输出键合垫,所述输入键合垫和所述输出键合垫中的每一个被配置成用于接线键合。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
所述输入端口包括输入垫;
所述输出端口包括输出垫;并且
所述共同区包括共同垫,所述输入垫、所述输出垫和所述共同垫中的每一个被配置成用于倒装芯片键合。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述输入指是晶体管的栅极指,所述输出指是所述晶体管的漏极指,并且所述共同指是所述晶体管的源极指。
9.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括:
有源区,所述有源区形成在衬底中,所述有源区包括安置在所述衬底内且彼此基本上平行地朝向的输入指、输出指和共同指;
输入端口,所述输入端口电连接到所述输入指;
输出端口,所述输出端口电连接到所述输出指;以及
共同区,所述共同区插入在所述共同指的对之间,所述共同区位于所述对的所述共同指中的每一个的中间区处,并且所述共同区电连接到所述对的所述共同指中的每一个,其中所述共同指被所述共同区的第一侧处的第一间隙隔开,所述共同指被所述共同区的第二侧处的第二间隙隔开,所述输入端口在所述有源区内位于所述第一间隙中且所述输出端口在所述有源区内位于所述第二间隙中,并且所述共同区与所述第一输出端口和所述第二输出端口中的每一个电隔离。
10.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括:
有源区,所述有源区形成在衬底中,所述有源区包括安置在所述衬底内且彼此基本上平行地朝向的输入指、输出指和共同指;
输入键合垫,所述输入键合垫电连接到所述输入指;
输出键合垫,所述输出键合电连接到所述输出指;以及
共同区,所述共同区电连接到所述共同指,所述共同区包括延伸穿过所述衬底且连接到所述半导体装置的共同节点的通孔连接件,其中所述输入键合垫和所述输出键合垫中的至少一个在所述有源区内定位在所述共同指的对之间,并且所述输入键合垫和所述输出键合垫中的每一个被配置成用于接线键合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的