[发明专利]夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备在审
申请号: | 202110703943.0 | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN114300406A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 禹仲范;金秀赫;李炳昊;林泰焕 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张美芹;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 夹头 结构 包括 半导体 制造 设备 | ||
1.一种半导体制造设备,所述半导体制造设备包括拾取分割的半导体芯片的夹头结构,所述夹头结构包括:
保持器,所述保持器接收真空,所述保持器包括设置在所述保持器中的磁体;
板,所述板包括与所述保持器磁性地且机械地结合的上表面,所述板包括由所述保持器暴露以从所述保持器接收真空的侧壁;
吸引构件,所述吸引构件与所述板接触以使用从所述板提供的真空拾取所述半导体芯片;以及
边缘接触部,所述边缘接触部具有从所述保持器的底表面的边缘部突出的第一长度,以与所述板接触。
2.根据权利要求1所述的半导体制造设备,其中,所述保持器包括:
柄部,所述柄部的尺寸等于或小于所述板的尺寸;以及
真空提供器,所述真空提供器设置在所述柄部的上方,所述真空提供器包括用于传递所述真空的第一真空孔,
其中,所述柄部和所述真空提供器一体构成。
3.根据权利要求2所述的半导体制造设备,其中,所述保持器还包括对准块,所述对准块从所述柄部的底表面突出以与所述板的上表面结合,并且其中,所述对准块具有比所述第一长度长的第二长度。
4.根据权利要求3所述的半导体制造设备,其中,所述对准块包括与所述柄部和所述真空提供器的材料相同的材料。
5.根据权利要求3所述的半导体制造设备,其中,所述第一真空孔延伸到所述对准块的底表面。
6.根据权利要求3所述的半导体制造设备,其中,所述对准块的宽度等于或小于所述真空提供器的宽度。
7.根据权利要求3所述的半导体制造设备,其中,所述对准块具有与所述真空提供器及所述磁体重叠的宽度。
8.根据权利要求7所述的半导体制造设备,其中,所述对准块包括从所述第一真空孔分支的多个子孔。
9.根据权利要求3所述的半导体制造设备,其中,所述板包括:
形成在所述板的上表面处以接收所述对准块的对准槽;以及
连接到所述第一真空孔的多个第二真空孔。
10.根据权利要求9所述的半导体制造设备,其中,所述多个第二真空孔中的每一个第二真空孔包括:
与所述对准槽连接的至少一个中心孔;
在所述板的边缘部处形成的线路孔;以及
连接在所述中心孔和所述线路孔之间的连接孔。
11.根据权利要求1所述的半导体制造设备,其中,所述吸引构件包括形成在所述吸引构件的下角部处的凹部,所述凹部的宽度比所述吸引构件中的上部区域的宽度窄。
12.根据权利要求11所述的半导体制造设备,其中,所述凹部具有与所述边缘接触部的内侧壁对应的外侧壁。
13.根据权利要求12所述的半导体制造设备,其中,所述吸引构件还包括与形成在所述板中的第二真空孔连接的多个第三真空孔。
14.根据权利要求13所述的半导体制造设备,其中,所述吸引构件具有3.5mm至4mm的厚度。
15.一种夹头结构,所述夹头结构包括:
保持器;
与所述保持器磁性地且机械地结合的板;以及
吸引构件,所述吸引构件与所述板接触,
其中,所述保持器具有与所述板的尺寸相同的尺寸,所述保持器具有与所述板的侧壁共面的侧壁,并且与所述板接触的边缘接触部被定位在所述保持器的底表面的边缘部处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造