[发明专利]一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装结构发光二极管芯片，其包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的n电极欧姆接触层(1-05)和p电极欧姆接触层(1-06)，其特征在于，在所述LED外延片的未设置所述n电极欧姆接触层(1-05)和p电极欧姆接触层(1-06)的区域上设有第一透明钝化层(1-07)，所述第一透明钝化层(1-07)上刻蚀有微阵结构(3-01)，所述第一透明钝化层(1-07)上沉积有高反射绝缘材料薄膜(3-02)且所述高反射绝缘材料薄膜(3-02)的厚度大于所述微阵结构(3-01)的深度。

2.根据权利要求1所述的倒装结构发光二极管芯片，其特征在于，所述高反射绝缘材料薄膜(3-02)采用DBR薄膜，所述DBR薄膜由SiO₂膜和Ta₂O₅膜交替叠加而成，所述SiO₂膜和Ta₂O₅膜的厚度比例为1：1且它们的总厚度大于所述微阵结构(3-01)的深度。

3.根据权利要求2所述的倒装结构发光二极管芯片，其特征在于，所述微阵结构(3-01)由多个均匀分布的圆锥台形状的蚀刻孔组成，所述圆锥台形状的蚀刻孔的上直径(5-02)为2-5μm、下直径(5-01)为1-4μm、深度为所述第一透明钝化层(1-07)的厚度的一半，且相邻两个所述圆锥台形状的蚀刻孔的间距为2-5μm。

4.根据权利要求3所述的倒装结构发光二极管芯片，其特征在于，所述第一透明钝化层(1-07)为SiO₂薄膜，且其厚度为0.5-0.8μm。

5.根据权利要求4所述的倒装结构发光二极管芯片，其特征在于，所述高反射绝缘材料薄膜(3-02)上还设有第二透明钝化层。

6.根据权利要求5所述的倒装结构发光二极管芯片，其特征在于，所述第二透明钝化层也为SiO₂薄膜，且其厚度为0.3-0.5μm。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的倒装结构发光二极管芯片，其特征在于，所述LED外延片从上至下依次为透明衬底(1-01)、n型半导体层(1-02)、量子阱层(1-03)和p型半导体层(1-04)。

8.根据权利要求7所述的倒装结构发光二极管芯片，其特征在于，所述n电极欧姆接触层(1-05)由五元金属体系Cr/Ti/Al/Ni/Au制成，所述p电极欧姆接触层(1-06)由二元金属体系Ni/Au制成。

9.一种倒装结构发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、在LED外延片上制备n电极欧姆接触层(1-05)和p电极欧姆接触层(1-06)；

(2)、在所述LED外延片、n电极欧姆接触层(1-05)和p电极欧姆接触层(1-06)上沉积第一透明钝化层(1-07)；

(3)、在所述第一透明钝化层(1-07)上均匀地刻蚀微阵结构(3-01)；

(4)、在刻蚀后的所述第一透明钝化层(1-07)上沉积高反射绝缘材料薄膜(3-02)且所述高反射绝缘材料薄膜(3-02)的厚度大于所述微阵结构(3-01)的深度；

(5)、对所述n电极欧姆接触层(1-05)和p电极欧姆接触层(1-06)上的高反射绝缘材料薄膜(3-02)和第一透明钝化层(1-07)进行刻蚀，以暴露出所述n电极欧姆接触层(1-05)和p电极欧姆接触层(1-06)；

(6)、在所述n电极欧姆接触层(1-05)和p电极欧姆接触层(1-06)上分别沉积电极连接层及焊盘金属层，制备出n电极焊盘(1-09)和p电极焊盘(1-08)。

10.根据权利要求8所述的倒装结构发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)和步骤(5)之间还包括：在所述高反射绝缘材料薄膜(3-02)上沉积第二透明钝化层，并且所述步骤(6)中也需要对所述n电极欧姆接触层(1-05)和p电极欧姆接触层(1-06)上的所述第二透明钝化层进行刻蚀。