[发明专利]铁电存储器的制造方法

说明书

本发明提供了一种铁电存储器的制造方法，包括对经过检测的基片进行高温烘烤。本发明的铁电存储器的制造方法中，控制所述高温烘烤的温度为350‑600摄氏度，烘烤时间为5‑60分钟，可以有效去除铁电存储芯片的印记现象，提高铁电存储器的稳定性。

技术领域

本发明涉及集成电路设计技术领域，尤其涉及铁电存储器的制造方法。

背景技术

铁电存储器作为一种铁电存储器，有读取速度快，读写次数高，功耗较低等优点。但是在制造铁电存储器的过程中，当芯片经过高温操作的时候容易发生印记，影响铁电存储器的可靠性。

因此，有必要开发新型的铁电存储器的制造方法解决现有技术存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种铁电存储器的制造方法，以有利于提高铁电存储器的稳定性。

为实现上述目的，本发明的铁电存储器的制造方法包括：

步骤S1:在原始基片上制造铁电存储器件，形成包含若干铁电存储器件的基片；

步骤S2:对所述基片中的铁电存储器件进行检测，以区分出每个合格子基片区域；

步骤S3:对经所述步骤S2得到的基片进行高温烘烤，所述高温烘烤的温度为350-600摄氏度，烘烤时间为5～60分钟。

本发明的所述铁电存储器的制造方法有益效果在于：所述步骤S2执行完毕后，对经所述步骤S2得到的基片进行高温烘烤，所述高温烘烤的温度为350-600摄氏度，烘烤时间为5～60分钟，可以有效去除铁电存储芯片的印记现象，提高产品的稳定性。

优选的，所述铁电存储器包括若干铁电存储单元，每个所述铁电存储单元包括至少一个晶体管和至少一个铁电电容，所述铁电电容包括上极板、下极板以及位于所述上极板和所述下极板之间并具有铁电性的铁电材料层，所述铁电材料层由金属氧化物构成。

优选的，所述步骤S3中，所述高温烘烤在混合气体的氛围下进行，所述混合气体由惰性气体、氢气和氧气组成，以占所述混合气体的体积百分比计，所述惰性气体的含量不低于50％，氢气的含量不高于10％，氧气的含量不高于40％。

优选的，所述步骤S2执行完毕后，对经所述步骤S2得到的基片按所述每个合格子基片区域进行切割以得到单个合格子基片。

进一步优选的，所述步骤S3执行完毕后，执行对所述单个合格子基片进行封装的步骤。

优选的，还包括对经所述步骤S4得到的基片按所述每个合格子基片区域进行切割和封装以得到单个芯片的步骤。

优选的，所述步骤S2执行完毕后，对经所述步骤S2得到的基片进行切割得到单个合格子基片，对所述单个合格子基片进行封装，形成单个芯片，然后执行所述步骤S3。

进一步优选的，所述步骤S3中，所述高温烘烤的温度为425～600摄氏度，烘烤时间为5～30分钟。

进一步优选的，对所述单个合格子基片进行封装的步骤包括，采用耐高温封装方式对所述单个合格子芯片进行封装，以使得到的所述单个芯片能够在600摄氏度下承受不低于30分钟。

进一步优选的，所述耐高温封装方式为陶瓷封装方式。

附图说明

图1为本发明第一种实施例提供的铁电存储器的制造方法流程图；

图2为本发明第二种实施例提供的铁电存储器的制造方法流程图；

图3为本发明第三种实施例提供的铁电存储器的制造方法流程图；

图4为采用本发明实施例的铁电存储器的制造方法制造的芯片与现有芯片的磁滞曲线的对比图。

具体实施方式