[发明专利]铁电存储器的制造方法

权利要求书

1.一种铁电存储器的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S1:在原始基片上制造铁电存储器件，形成包含若干铁电存储器件的基片；

步骤S2:对所述基片中的铁电存储器件进行检测，以区分出每个合格子基片区域；

步骤S3:对经所述步骤S2得到的基片进行高温烘烤，所述高温烘烤的温度为350-600摄氏度，烘烤时间为5～60分钟。

2.如权利要求1所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，所述铁电存储器包括若干铁电存储单元，每个所述铁电存储单元包括至少一个晶体管和至少一个铁电电容，所述铁电电容包括上极板、下极板以及位于所述上极板和所述下极板之间并具有铁电性的铁电材料层，所述铁电材料层由金属氧化物构成。

3.如权利要求1所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述高温烘烤在混合气体的氛围下进行，所述混合气体由惰性气体、氢气和氧气组成，以占所述混合气体的体积百分比计，所述惰性气体的含量不低于50％，氢气的含量不高于10％，氧气的含量不高于40％。

4.如权利要求1所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S2执行完毕后，对经所述步骤S2得到的基片进行切割后分选得到单个合格子基片，再执行所述步骤S3。

5.如权利要求4所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S3执行完毕后，执行对所述单个合格子基片进行封装的步骤。

6.如权利要求1所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，还包括对经所述步骤S3得到的基片进行切割和封装以得到单个芯片的步骤。

7.如权利要求1所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S2执行完毕后，对经所述步骤S2得到的基片进行切割得到单个合格子基片，对所述单个合格子基片进行封装，形成单个芯片，然后执行所述步骤S3。

8.如权利要求7所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述高温烘烤的温度为425～600摄氏度，烘烤时间为5～30分钟。

9.如权利要求7所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，对所述单个合格子基片进行封装的步骤包括，采用耐高温封装方式对所述单个合格子芯片进行封装，以使得到的所述单个芯片能够在600摄氏度下承受不低于30分钟。

10.如权利要求9所述的铁电存储器的制造方法，其特征在于，所述耐高温封装方式为陶瓷封装方式。