[发明专利]集成电路封装件和方法在审
申请号: | 202110693215.6 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113808960A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 罗登元;庄立朴;潘信瑜 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L25/16;H01L23/16;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 封装 方法 | ||
1.一种形成集成电路封装件的方法,包括:
在插件晶圆的第一面上形成第一电连接器和第二电连接器;
使用所述第一电连接器,将集成电路管芯接合至所述插件晶圆的所述第一面;
邻近所述集成电路管芯,将加强件结构连接至所述插件晶圆的所述第一面,在平面图中,所述加强件结构覆盖所述第二电连接器;
用第一密封剂密封所述集成电路管芯和所述加强件结构;以及
将所述插件晶圆和所述加强件结构单个化,以形成堆叠结构。
2.根据权利要求1所述的形成集成电路封装件的方法,其中,所述加强件结构是伪结构。
3.根据权利要求2所述的形成集成电路封装件的方法,其中,所述加强件结构通过粘合剂连接至所述插件晶圆的所述第一面。
4.根据权利要求3所述的形成集成电路封装件的方法,其中,所述粘合剂沿着所述第二连接器的侧壁和顶面延伸。
5.根据权利要求1所述的形成集成电路封装件的方法,其中,所述加强件结构包括有源电路。
6.根据权利要求5所述的形成集成电路封装件的方法,其中,将所述加强件结构连接至所述插件晶圆的所述第一面包括:使用所述第二电连接器将所述加强件结构电连接至所述插件晶圆。
7.根据权利要求1所述的形成集成电路封装件的方法,其中,所述加强件结构包括第一部分和与所述第一部分非连续的第二部分,所述第一部分沿着所述插件晶圆的所述第一面沿着第一方向从所述插件晶圆的第一边缘延伸至所述插件晶圆的第二边缘,所述第二部分沿着所述插件晶圆的所述第一面沿着不同于所述第一方向的第二方向延伸。
8.一种形成集成电路封装件的方法,包括:
在插件晶圆的第一面上形成第一电连接器,所述插件晶圆包括管芯区和划线区,每个所述划线区介于相邻的所述管芯区之间;
使用第一组所述第一电连接器,将集成电路管芯的有源面接合至所述管芯区的第一管芯区中的所述插件晶圆的所述第一面;
邻近所述集成电路管芯,将加强件结构连接至所述插件晶圆的所述第一面,在平面图中,所述加强件结构与所述第一管芯区和邻近所述第一管芯区的所述划线区的第一划线区重叠,第二组所述第一电连接器介于所述加强件结构和所述插件晶圆之间;
用第一密封剂密封所述集成电路管芯和所述加强件结构,所述集成电路管芯的背面与所述第一密封剂的第一面齐平;
在所述插件晶圆的第二面上形成第二电连接器,所述插件晶圆的所述第二面与所述插件晶圆的所述第一面相对;
将所述插件晶圆的所述第一管芯区从所述插件晶圆的其他管芯区单个化,以形成堆叠结构;以及
用第二密封剂密封所述堆叠结构,所述第二密封剂沿着所述堆叠结构的侧壁延伸,所述第二密封剂具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述第二密封剂的所述第一表面与所述第二电连接器的暴露表面齐平。
9.根据权利要求8所述的形成集成电路封装件的方法,其中,所述加强件结构是伪结构。
10.一种集成电路封装件结构,包括:
堆叠结构,所述堆叠结构包括:
插件管芯;
集成电路管芯,接合至所述插件管芯的第一面;
加强件结构,连接至所述插件管芯的所述第一面,所述加强件结构包括:
第一部分,在平面图中沿着所述插件管芯的第一边缘延伸,所述第一部分的第一侧壁与所述插件管芯的第一侧壁共面;以及
第二部分,在所述平面图中沿着所述插件管芯的第二边缘延伸,所述第二部分的第一侧壁与所述插件管芯的第二侧壁共面,所述第二部分与所述第一部分间隔开;以及
第一密封剂,沿着所述集成电路管芯的侧壁、所述加强件结构的所述第一部分的第二侧壁、和所述加强件结构的所述第二部分的第二侧壁延伸,其中,所述加强件结构的所述第一部分的所述第二侧壁与所述加强件结构的所述第一部分的所述第一侧壁相对,并且其中,所述加强件结构的所述第二部分的所述第二侧壁与所述加强件结构的所述第二部分的所述第一侧壁相对。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造