[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法

说明书

提供即使在具备具有一定大小以上的Al组成比的电子阻挡层的情况下也能抑制发光寿命下降的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件(1)具备：发光层(40)，其包含由AlGaN形成的阱层(44a～c)，发出紫外光；电子阻挡层(51、52)，其位于发光层(40)上，由具有比阱层(44a～c)的Al组成比大的第一Al组成比的AlGaN形成；以及p型包覆层(70)，其位于电子阻挡层(51、52)上，由具有比阱层(44a～c)的Al组成比大且比第一Al组成比小的第二Al组成比的AlGaN形成并掺杂有具有规定浓度的p型掺杂剂，在电子阻挡层(51、52)与p型包覆层(70)的界面掺杂有预定量以上的n型掺杂剂。

技术领域

本发明涉及氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法。

背景技术

作为现有的氮化物半导体发光元件，例如有包含由AlGaN形成且发出深紫外光的发光层的氮化物半导体发光元件(参照专利文献1)。

专利文献1所述的氮化物半导体发光元件具备层叠结构，该层叠结构是将n型半导体层、具有包含AlGaN的阱层和势垒层的量子阱结构的发光层、Al组成比势垒层大的电子阻挡层、形成在电子阻挡层之上的p型包覆层、以及形成在p型包覆层上的p型接触层层叠而成的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特许第6001756号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，根据专利文献1所述的氮化物半导体发光元件，由于设置有Al组成大的电子阻挡层，因而在电子阻挡层与p型包覆层之间，Al组成之差大，可能因为由晶格失配导致的质量劣化使发光寿命变短。

因此，本发明的目的在于，提供一种氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法，即使是在具备具有一定大小以上的Al组成比的电子阻挡层的情况下，也能够抑制发光寿命下降。

用于解决问题的方案

本发明以解决上述问题为目的，提供一种氮化物半导体发光元件，具备：发光层，其包含由AlGaN形成的阱层，发出紫外光；电子阻挡层，其位于上述发光层上，由具有比上述阱层的Al组成比大的第一Al组成比的AlGaN形成；以及p型包覆层，其位于上述电子阻挡层上，由具有比上述阱层的上述Al组成比大且比上述第一Al组成比小的第二Al组成比的AlGaN形成，并掺杂有具有规定浓度的p型掺杂剂，在上述电子阻挡层与上述p型包覆层的界面，掺杂有预定量以上的n型掺杂剂。

另外，本发明提供一种氮化物半导体发光元件的制造方法，包含：形成发光层的工序，上述发光层包含由AlGaN形成的阱层，发出紫外光；在上述发光层上形成电子阻挡层的工序，上述电子阻挡层由具有比上述阱层的Al组成比大的第一Al组成比的AlGaN形成；对上述电子阻挡层的上表面间歇地供应n型掺杂剂和p型掺杂剂的工序；以及在上述电子阻挡层上形成p型包覆层的工序，上述p型包覆层由具有比上述阱层的上述Al组成比大且比上述第一Al组成比小的第二Al组成比的AlGaN形成，并掺杂有具有规定浓度的p型掺杂剂。

发明效果

根据本发明，能够提供一种氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法，即使是在具备具有一定大小以上的Al组成比的电子阻挡层的情况下，也能够抑制发光寿命下降。

附图说明

图1是概略地示出本发明的一个实施方式的氮化物半导体发光元件的构成的图。