[发明专利]闪存的制备方法

说明书

本发明提供了一种闪存的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括存储区和逻辑区，在所述基底上依次形成栅极材料复合层及介质层；刻蚀所述介质层及所述栅极材料复合层以在所述存储区中形成第一开口；在所述第一开口的侧壁上依次形成保护层及侧墙；在所述第一开口中填充字线栅层；去除所述逻辑区的基底上的介质层及栅极材料复合层，并在所述逻辑区的基底上形成逻辑栅层；去除剩余的所述介质层，并在所述存储区和所述逻辑区上顺形地形成图形化的硬质掩膜层，以所述图形化的硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述逻辑栅层以形成逻辑栅；以及，刻蚀去除所述图形化的硬质掩膜层；本发明提高了闪存的电性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种闪存的制备方法。

背景技术

闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非易失性存储器中研究的热点，并且闪存被广泛用于手机、笔记本、掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。闪存作为一种非易失性存储器，其工作原理是通过改变晶体管或存贮单元的临界电压来控制栅极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存作为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。闪存具有浮栅和控制栅，浮栅和控制栅的宽度影响着闪存的擦除和读写能力，而浮栅和控制栅的宽度可能受制备工艺的影响，导致浮栅和控制栅的宽度缩短，最终影响闪存的电性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存的制备方法，以提高闪存的电性能。

为了达到上述目的，本发明提供了一种闪存的制备方法，包括：

提供基底，所述基底包括存储区和逻辑区，在所述基底上依次形成栅极材料复合层及介质层；

刻蚀所述介质层及所述栅极材料复合层以在所述存储区中形成第一开口，且所述第一开口露出所述基底的表面；

在所述第一开口的侧壁上依次形成保护层及侧墙，其中，所述保护层覆盖所述第一开口的部分侧壁，所述侧墙覆盖所述保护层及所述第一开口的剩余侧壁，所述保护层的致密度大于所述侧墙的致密度；

在所述第一开口中填充字线栅层；

去除所述逻辑区的基底上的介质层及栅极材料复合层，并在所述逻辑区的基底上形成逻辑栅层；

去除剩余的所述介质层，并在所述存储区和所述逻辑区上顺形地形成图形化的硬质掩膜层，以所述图形化的硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述逻辑栅层以形成逻辑栅；以及，

刻蚀去除所述图形化的硬质掩膜层。

可选的，所述保护层的厚度为

可选的，采用湿法刻蚀去除所述图形化的硬质掩膜层。

可选的，所述湿法刻蚀的刻蚀剂为氢氟酸、磷酸或硝酸中的一种或多种。

可选的，去除剩余的所述介质层之后形成第二开口，在刻蚀去除所述图形化的硬质掩膜层之后，还包括：

沿所述第二开口刻蚀所述栅极材料复合层，所述第二开口向下延伸至所述基底的表面，所述第二开口分隔出若干栅极结构。

可选的，刻蚀去除所述图形化的硬质掩膜层时，还横向刻蚀所述保护层，使得所述保护层的至少部分厚度被去除。

可选的，所述栅极材料复合层包括由下至上依次堆叠的浮栅层、ONO结构层及控制栅层，形成所述第一开口及形成所述保护层和所述侧墙的步骤同步进行。

可选的，同步的步骤包括：

刻蚀所述介质层以形成第一子开口，且所述第一子开口露出所述控制栅层的表面；

在所述第一子开口的侧壁上依次形成所述保护层和第一侧墙；