[发明专利]闪存的制备方法

权利要求书

1.一种闪存的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括存储区和逻辑区，在所述基底上依次形成栅极材料复合层及介质层；

刻蚀所述介质层及所述栅极材料复合层以在所述存储区中形成第一开口，且所述第一开口露出所述基底的表面；

在所述第一开口的侧壁上依次形成保护层及侧墙，其中，所述保护层覆盖所述第一开口的部分侧壁，所述侧墙覆盖所述保护层及所述第一开口的剩余侧壁，所述保护层的致密度大于所述侧墙的致密度；

在所述第一开口中填充字线栅层；

去除所述逻辑区的基底上的介质层及栅极材料复合层，并在所述逻辑区的基底上形成逻辑栅层；

去除剩余的所述介质层，并在所述存储区和所述逻辑区上顺形地形成图形化的硬质掩膜层，以所述图形化的硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述逻辑栅层以形成逻辑栅；以及，

刻蚀去除所述图形化的硬质掩膜层。

2.如权利要求1所述的闪存的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为

3.如权利要求1所述的闪存的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除所述图形化的硬质掩膜层。

4.如权利要求3所述的闪存的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀剂为氢氟酸、磷酸或硝酸中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的闪存的制备方法，其特征在于，去除剩余的所述介质层之后形成第二开口，在刻蚀去除所述图形化的硬质掩膜层之后，还包括：

沿所述第二开口刻蚀所述栅极材料复合层，所述第二开口向下延伸至所述基底的表面，所述第二开口分隔出若干栅极结构。

6.如权利要求1所述的闪存的制备方法，其特征在于，刻蚀去除所述图形化的硬质掩膜层时，还横向刻蚀所述保护层，使得所述保护层的至少部分厚度被去除。

7.如权利要求1所述的闪存的制备方法，其特征在于，所述栅极材料复合层包括由下至上依次堆叠的浮栅层、ONO结构层及控制栅层，形成所述第一开口及形成所述保护层和所述侧墙的步骤同步进行。

8.如权利要求7所述的闪存的制备方法，其特征在于，同步的步骤包括：

刻蚀所述介质层以形成第一子开口，且所述第一子开口露出所述控制栅层的表面；

在所述第一子开口的侧壁上依次形成所述保护层和第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述控制栅层及所述ONO结构层以形成第二子开口，且所述第二子开口露出所述浮栅层的表面；

在所述第二子开口的侧壁上形成第二侧墙，且所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的至少部分表面；

以所述第二侧墙为掩膜刻蚀所述浮栅层以形成第三子开口，且所述第三子开口露出所述基底的表面，所述第一子开口、所述第二子开口及所述第三子开口联通并构成所述第一开口；

在所述第三子开口的内壁上形成第三侧墙，且所述第三侧墙覆盖所述第二侧墙的至少部分表面，所述第一侧墙、所述第二侧墙及所述第三侧墙构成所述侧墙。

9.如权利要求1所述的闪存的制备方法，其特征在于，所述保护层和所述侧墙的材料相同。

10.如权利要求1或9所述的闪存的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述侧墙，采用高温氧化工艺形成所述保护层。