[发明专利]半导体器件、存储器件及其形成方法

说明书

本申请的实施例提供了一种半导体器件，包含介电层、导电层、电极层和氧化物半导体层。介电层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。导电层设置在介电层的第一表面上。电极层设置在介电层的第二表面上。氧化物半导体层设置在介电层的第二表面和电极层之间，其中，氧化物半导体层包括由公式1(In_xSn_yTi_zM_mO_n)表示的材料。在公式1中，0x1，0≤y1，0z1，0m1，0n1，并且M表示至少一种金属。根据本申请的另一实施例，还提供了存储器件。根据本申请的又一实施例，还提供了形成存储器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件、存储器件以及形成存储器件的方法。

背景技术

半导体器件用于诸如个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备之类的各种电子应用中。通常通过以下方式制造半导体器件：依次在半导体衬底上方沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体层，并使用光刻和蚀刻技术来对各种材料层进行图案化以在其上方形成电路元件(component)和元件(element)。

半导体工业通过不断减小最小部件大小来不断提高各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多部件集成到给定区域中。然而，随着最小部件大小减小，出现了应解决的附加问题。

发明内容

根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件，包括：介电层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；导电层，设置在介电层的第一表面上；电极层，设置在介电层的第二表面上；以及氧化物半导体层，设置在介电层的第二表面和电极层之间，其中，氧化物半导体层包括由公式1表示的材料：In_xSn_yTi_zM_mO_n[公式1]，其中，在公式1中，0x1，0≤y1，0z1，0m1，0n1，并且M表示至少一种金属。

根据本申请的另一实施例，提供了一种存储器件，包括：多层堆叠件，设置在衬底上并包括交替堆叠的多个导电层与多个介电层；多个介电柱，设置在衬底上并穿透多层堆叠件；沟道层，位于多个介电柱的侧表面上，其中，沟道层包括由公式1表示的材料：In_xSn_yTi_zM_mO_n[公式1]，其中，在公式1中，0x1，0≤y1，0z1，0m1，0n1，并且M表示至少一种金属；以及铁电层，设置在沟道层与多个导电层和多个介电层中的每个之间。

根据本申请的又一实施例，提供了一种形成存储器件的方法，包括：在衬底上形成多层堆叠件，其中，多层堆叠件包括交替堆叠的多个介电层和多个导电层，并具有穿透其中的沟槽；在沟槽的侧壁上形成铁电层，其中，铁电层覆盖多个介电层和多个导电层的侧壁；以及在铁电层上形成沟道层，其中，沟道层包括由公式1表示的材料：In_xSn_yTi_zM_mO_n[公式1]，其中，在公式1中，0x1，0≤y1，0z1，0m1，0n1，并且M表示至少一种金属；以及形成穿透多层堆叠件的多个介电柱。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A至图1C图示了按照本发明的一些实施例的存储器件的简化透视图、电路图和俯视图。

图2至图27E图示了按照本发明的一些实施例的制造存储器件的方法中的各种视图。

图28图示了按照本发明的一些其它实施例的存储器件的简化透视图。

图29图示了按照本发明的一些其它实施例的存储器件的简化透视图。

具体实施方式