[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110666401.0 | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN113410274A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 吴欣慰;张伟;徐燕燕;李存智;史大为;郭钟旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 王云红;包莉莉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括:基底;位于基底一侧的第一绝缘层和第二绝缘层,第二绝缘层的背离基底的一侧开设有位于非显示区的凹槽结构,凹槽结构沿第一方向延伸,第一方向为与显示区的对应边缘相平行的方向;金属线,位于非显示区,且位于第二绝缘层的背离基底的一侧,金属线沿第二方向延伸,金属线搭接在凹槽结构的表面,第二方向为与第一方向相垂直的方向;平坦层,位于显示区;多个有机发光二极体,位于显示区,且位于平坦层上。本公开的技术方案,可以延长金属线从非显示区朝向显示区的路径长度,使得水氧路径长度增加,减小OLED被水氧侵蚀的风险,避免显示基板出现GDS不良,提高产品信赖性。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是近年来逐渐发展起来的主动发光显示器件,尤其在显示行业,OLED显示由于具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。对于主动式OLED来说,OLED器件对水氧尤为敏感,特别在柔性封装取代刚性封装后,封装失效已经成为OLED行业的一大问题。
OLED显示基板在信赖性过程中或长期静置后,显示基板会产生小黑点(GrowingDark Spot,GDS)不良,影响了显示基板的信赖性。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
作为本公开实施例的第一个方面,本公开实施例提供一种显示基板,包括显示区和非显示区,基板包括:
基底;
位于基底一侧的有源层、第一绝缘层、栅电极和第二绝缘层,有源层和栅电极位于显示区,第一绝缘层和第二绝缘层位于显示区和非显示区,第二绝缘层的背离基底的一侧开设有位于非显示区的凹槽结构,凹槽结构沿第一方向延伸,第一方向为与显示区的对应边缘相平行的方向;
源电极和漏电极,位于第二绝缘层背离基底的一侧,源电极和漏电极位于显示区,源电极和漏电极均与有源层连接;
金属线,位于非显示区,且位于第二绝缘层的背离基底的一侧,金属线沿第二方向延伸,金属线搭接在凹槽结构的表面,第二方向为与第一方向相垂直的方向;
平坦层,位于显示区,且位于源电极和漏电极的背离基底的一侧;
多个有机发光二极体,位于显示区,且位于平坦层背离基底的一侧,有机发光二极体与对应的源电极或漏电极连接。
在一些可能的实现方式中,凹槽结构包括并列的多个凹槽,多个凹槽沿第二方向依次排列,金属线搭接在多个凹槽的表面。
在一些可能的实现方式中,多个凹槽包括至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽,第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度。
在一些可能的实现方式中,至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽交替间隔排列。
在一些可能的实现方式中,第一凹槽的深度范围为9000埃至11000埃。
在一些可能的实现方式中,第二凹槽的深度范围为4000埃至6000埃。
在一些可能的实现方式中,相邻两个凹槽之间的间距范围为5μm至10μm。
在一些可能的实现方式中,金属线包括彼此绝缘的第一金属线第二金属线,第一金属线和第二金属线均沿第二方向延伸,凹槽结构包括第一段凹槽结构和第二段凹槽结构,第一金属线搭接在第一段凹槽结构的表面,第二金属线搭接在第二段凹槽结构的表面。
在一些可能的实现方式中,第一金属线为第一电源线,第二金属线为第二电源线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的