[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110666401.0 | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN113410274A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 吴欣慰;张伟;徐燕燕;李存智;史大为;郭钟旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 王云红;包莉莉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括显示区和非显示区,所述基板包括:
基底;
位于基底一侧的有源层、第一绝缘层、栅电极和第二绝缘层,所述有源层和栅电极位于显示区,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层位于所述显示区和所述非显示区,所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧开设有位于非显示区的凹槽结构,所述凹槽结构沿第一方向延伸,所述第一方向为与所述显示区的对应边缘相平行的方向;
源电极和漏电极,位于所述第二绝缘层背离所述基底的一侧,所述源电极和所述漏电极位于显示区,所述源电极和所述漏电极均与所述有源层连接;
金属线,位于所述非显示区,且位于所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧,所述金属线沿第二方向延伸,所述金属线搭接在所述凹槽结构的表面,所述第二方向为与所述第一方向相垂直的方向;
平坦层,位于显示区,且位于所述源电极和所述漏电极的背离所述基底的一侧;
多个有机发光二极体,位于显示区,且位于所述平坦层背离所述基底的一侧,所述有机发光二极体与对应的源电极或漏电极连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述凹槽结构包括并列的多个凹槽,所述多个凹槽沿所述第二方向依次排列,所述金属线搭接在所述多个凹槽的表面。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述多个凹槽包括至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽,所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个第一凹槽和所述至少一个第二凹槽交替间隔排列。
5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一凹槽的深度范围为9000埃至11000埃。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第二凹槽的深度范围为4000埃至6000埃。
7.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,相邻两个凹槽之间的间距范围为5μm至10μm。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述金属线包括彼此绝缘的第一金属线第二金属线,所述第一金属线和所述第二金属线均沿所述第二方向延伸,所述凹槽结构包括第一段凹槽结构和第二段凹槽结构,所述第一金属线搭接在所述第一段凹槽结构的表面,所述第二金属线搭接在所述第二段凹槽结构的表面。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述第一金属线为第一电源线,所述第二金属线为第二电源线。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述金属线与所述源电极和所述漏电极位于同一层。
11.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底的一侧形成有源层、第一绝缘层、栅电极和第二绝缘层,所述有源层和栅电极位于显示区,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层位于所述显示区和所述非显示区;
在所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧形成位于非显示区的凹槽结构,所述凹槽结构沿第一方向延伸,所述第一方向为与所述显示区的对应边缘相平行的方向;
在所述第二绝缘层背离所述基底的一侧形成源电极、漏电极和金属线,所述源电极和所述漏电极位于显示区,所述源电极和所述漏电极均与所述有源层连接,所述金属线位于非显示区,所述金属线沿第二方向延伸,所述金属线搭接在所述凹槽结构的表面,所述第二方向为与所述第一方向相垂直的方向;
在所述源电极和所述漏电极的背离所述基底的一侧形成平坦层,所述平坦层位于显示区;
在所述平坦层背离所述基底的一侧形成位于显示区的多个有机发光二极体,所述有机发光二极体与对应的源电极或漏电极连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的