[发明专利]一种单掺铀铌酸锂晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种单掺铀铌酸锂晶体，其特征在于，制备原料包括纯度为99.99wt％Li₂CO₃、99.99wt％Nb₂O₅及纯度≧99.99％的UO₂，其中，UO₂的掺杂量为0.6～2.0mol％，[Li]和[Nb]的摩尔比为0.937。

2.权利要求1所述的单掺铀铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：将Nb₂O₅粉料加热去氟处理，而后将Li₂CO₃、去氟处理后的Nb₂O₅粉料以及UO₂充分研磨混合后，置于马弗炉中烧结处理，得到掺铀铌酸锂粉料；

步骤2：将步骤1所得掺铀铌酸锂粉料研磨后装入Pt坩埚中，采用坩埚下降法进行晶体生长；生长出棕褐色的、无裂纹、无明显生长条纹的晶体；

步骤3：步骤2所得晶体在加热条件下，通过电流极化处理，使晶体形成单畴结构，得到单掺铀铌酸锂晶体。

3.根据权利要求2所述的单掺铀铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于，所述步骤1中去氟处理的温度为700～900℃，时间为4～6h；所述的烧结处理具体为：首先，将马弗炉温度升至700～900℃保温4～6h，再经2～4h升至1000～1200℃保温6～8h，最后降至室温。

4.根据权利要求2所述的单掺铀铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的坩埚下降法的具体过程为：控制上部炉体温度为1300～1500℃；炉体平衡12～24h后进行籽晶的接种，而后开始启动下降装置缓慢下降坩锅；晶体沿c轴方向进行生长，其过程均在恒温段完成，放肩速度为0.2～0.3mm/h，等径生长速度为0.3～0.4mm/h；最后按程序段降温，并自然冷却至室温。

5.根据权利要求2所述的单掺铀铌酸锂晶体的制备方法，其特征在于，所述步骤3中加热的温度为1100～1200℃；所述极化处理的电流密度为6～8mA/cm²，时间为10～30min。