[发明专利]存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复

说明书

本申请案涉及存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置上启动编程操作，所述编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段。所述控制逻辑进一步使负电压信号在所述编程操作的所述编程验证恢复阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所述所选择字线的一或多个数据字线。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复阶段。

背景技术

一种存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

发明内容

在一个方面中，本申请案提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列；以及控制逻辑，其以操作方式与存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：在存储器阵列上启动编程操作，编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段；以及使负电压信号在编程操作的编程验证恢复阶段期间被施加到存储器阵列的数据块的第一多个字线，其中第一多个字线中的每一个耦合到数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元中的对应存储器单元，第一多个字线包括与编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所选择字线的一或多个数据字线。

在另一方面中，本申请案进一步提供一种方法，其包括：在存储器装置上启动编程操作，编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段；以及使负电压信号在编程操作的编程验证恢复阶段期间被施加到存储器装置的数据块的第一多个字线，其中第一多个字线中的每一个耦合到数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元中的对应存储器单元，第一多个字线包括与编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所选择字线的一或多个数据字线。

在又另一方面中，本申请案进一步提供一种存储器装置，其包括：第一存储器单元串，其在存储器单元块的第一子块中，第一子块包括所选择子块，其中第一存储器单元串包括耦合到多个字线的第一多个存储器单元；以及第二存储器单元串，其在存储器单元块的第二子块中，第二子块包括未经选择的子块，其中第二存储器单元串包括耦合到与第一存储器单元串耦合的多个字线的第二多个存储器单元，其中多个字线的第一子集被配置成在对所选择子块执行的编程操作的编程验证恢复阶段期间接收负电压信号，多个字线的第一子集包括与编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所选择字线的一或多个数据字线。

附图说明

根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。

图2是说明根据本公开的一些实施例在存储器子系统中的存储器装置的数据块中的存储器单元串的示意图。

图3是根据本公开的一些实施例在编程操作的编程验证恢复阶段期间操作存储器装置的时序图。

图4是说明根据本公开的一些实施例在编程操作的编程验证恢复阶段期间存储器单元串的沟道电位的图。

图5是根据本公开的一些实施例在存储器子系统中实施具有减少的编程干扰的短编程验证恢复阶段的实例方法的流程图。

图6是其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。

具体实施方式