[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

绝缘介电层；

栅极结构，位于所述绝缘介电层中且在第一方向上延伸；

源极端子和漏极端子，位于所述绝缘介电层中且分别位于所述栅极结构的两个相对端处；以及

沟道区，位于所述绝缘介电层中且夹置在所述栅极结构与所述源极端子和所述漏极端子之间且环绕所述栅极结构的侧壁，其中所述沟道区在所述源极端子与所述漏极端子之间延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道区包含非晶半导体材料。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极端子和所述漏极端子沿着所述第一方向以第一距离彼此间隔开，所述沟道区沿着所述第一方向以第一长度在所述源极端子与所述漏极端子之间延伸，并且所述第一长度不小于所述第一距离。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道区在所述栅极结构的至少四个横向侧表面之上延伸且覆盖所述至少四个横向侧表面，并且在第二方向上具有跨度宽度，所述跨度宽度实质上相同于所述源极端子和所述漏极端子中的一者在所述第二方向上的尺寸，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道区在所述栅极结构的至少四个横向侧表面之上延伸且覆盖所述至少四个横向侧表面，并且在第二方向上具有跨度宽度，所述跨度宽度小于所述源极端子和所述漏极端子中的一者在所述第二方向上的尺寸，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道区从所述绝缘介电层的表面沿着厚度方向以第一深度延伸到所述绝缘介电层中，且所述源极端子和所述漏极端子沿着所述厚度方向以第二深度延伸到所述绝缘介电层中，所述第二深度实质上等于所述第一深度，并且所述厚度方向垂直于所述第一方向。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道区从所述绝缘介电层的表面沿着厚度方向以第一深度延伸到所述绝缘介电层中，且所述源极端子和所述漏极端子沿着所述厚度方向以第二深度延伸到所述绝缘介电层中，所述第二深度小于所述第一深度，并且所述厚度方向垂直于所述第一方向。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道区从所述绝缘介电层的表面沿着厚度方向以第一深度延伸到所述绝缘介电层中，且所述源极端子和所述漏极端子沿着所述厚度方向以第二深度延伸到所述绝缘介电层中，所述第二深度大于所述第一深度，并且所述厚度方向垂直于所述第一方向。

9.一种半导体器件，包括：

栅极结构，嵌置在绝缘介电层中且在第一方向上延伸，其中所述栅极结构包括栅极电极及环绕所述栅极电极的栅极介电层；

源极端子和漏极端子，嵌置在所述绝缘介电层中且分别位于所述栅极结构的相对端处；以及

沟道区，嵌置在所述绝缘介电层中且位于所述栅极结构与所述源极端子和所述漏极端子之间，其中所述沟道区包绕在环绕所述栅极电极的所述栅极介电层周围，并且所述沟道区在所述源极端子与所述漏极端子之间延伸。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在绝缘介电层中形成至少两个接触开口；

形成填满所述至少两个接触开口的接触端子；

在所述至少两个接触开口之间在所述绝缘介电层中形成暴露出所述接触端子的沟槽；

在所述沟槽之上形成覆盖所述沟槽的侧壁及底表面且覆盖被暴露出的所述接触端子的沟道层；以及

在所述沟槽内在所述沟道层上形成填满所述沟槽的栅极结构。