[发明专利]一种多层导电薄片三维结构成型方法

说明书

本申请提供了一种多层导电薄片三维结构成型方法，包括以下步骤：设计或获取三维线路结构模型，将该三维线路结构模型拆分成多个通过引线进行层间连接的二维线路模型；根据拆分后的二维线路模型，分别制备包含二维线路模型对应线路结构的线路板；根据三维线路结构模型结构，将多个线路板对位层叠，连接成组合体；将组合体置于酸性介质中，根据引线设计位置，利用激光诱导酸性介质对组合体进行腐蚀出线孔；该成型方法有效简化了三维结构的导电片的制备过程，同时通过激光诱导酸性介质腐蚀获取线孔，相比传统的激光打孔方式，本申请实施例的线孔形成过程更温和，且能有效控制打孔深度，聚焦温度要求远低于激光打孔的温度要求，有效降低设备门槛。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，具体而言，涉及一种多层导电薄片三维结构成型方法。

背景技术

随着半导体行业的迅猛发展，器件越来越趋于微小型化，I/O数逐步增加。集成电路的发展趋势也一直遵循着摩尔定律，集成电路的密度逐渐提高。这种集成度提高的主要驱动力是特征尺寸的不断减小，在一个特定的区域中能够集成更多的器件，但这主要是在二维方向上的集成，集成密度无法进一步的提高下去。

现有技术中也有采用一些三维结构的线路结构，一般采用逐层网上累积的成型方式，该成型方式效率低，需逐层线路形成封装再成型再封装地进行制备，制备过程较为繁琐；也有采用独立电路板进行激光打孔的方式再焊线或飞线进行制备，但这种方式对设备要求较高。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种多层导电薄片三维结构成型方法，可有效简化了三维结构的导电片的制备过程，并降低设备门槛。

本申请实施例提供了一种多层导电薄片三维结构成型方法，包括以下步骤：

S1、设计或获取三维线路结构模型，将该三维线路结构模型拆分成多个通过引线进行层间连接的二维线路模型；

S2、根据拆分后的二维线路模型，分别制备包含二维线路模型对应线路结构的线路板；

S3、根据三维线路结构模型结构，将多个线路板对位层叠，连接成组合体；

S4、将组合体置于酸性介质中，根据引线设计位置，利用激光诱导酸性介质对组合体进行腐蚀出线孔；

S5、取出并清洗组合体，然后在线孔内置入导电材料并制备连接线路板的导电引线，实现组合体中多个线路板的层间连接。

所述的多层导电薄片三维结构成型方法，其中，在步骤S3中，相邻线路板之间通过玻璃垫块和粘合胶连接。

所述的多层导电薄片三维结构成型方法，其中，所述玻璃垫块避让线孔位置或设有对应于线孔位置的开孔。

所述的多层导电薄片三维结构成型方法，其中，在步骤S4中，激光入射方向为竖直朝向组合底上下端面或倾斜朝向组合底上下端面或水平朝向组合体侧面。

所述的多层导电薄片三维结构成型方法，其中，利用激光诱导酸性介质对组合体进行腐蚀出线孔后，还可利用激光诱导酸性介质腐蚀线路板上短路位置。

所述的多层导电薄片三维结构成型方法，其中，采用激光烧结或电镀沉积的方式制备导电引线。

所述的多层导电薄片三维结构成型方法，其中，所述酸性介质在常温状态下不会腐蚀溶解组合体中的线路板。

所述的多层导电薄片三维结构成型方法，其中，所述酸性介质为酸性液体或包含水蒸气的酸性气体。

所述的多层导电薄片三维结构成型方法，其中，所述酸性介质中可加入提高组合体中线路板上线路溶解效果的氧化物。

所述的多层导电薄片三维结构成型方法，其中，还包括步骤S6、清除组合体中残余的导电材料。