[发明专利]一种多层导电薄片三维结构成型方法有效

专利信息
申请号: 202110654033.8 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN113347811B 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 杨冠南;崔成强;张昱 申请(专利权)人: 季华实验室
主分类号: H05K3/46 分类号: H05K3/46;B22F10/28;B22F10/62;B33Y40/20;C23F1/02;C23F1/16;C25D1/00
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;罗尹清
地址: 528200 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 多层 导电 薄片 三维 结构 成型 方法
【权利要求书】:

1.一种多层导电薄片三维结构成型方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、设计或获取三维线路结构模型,将该三维线路结构模型拆分成多个通过引线进行层间连接的二维线路模型;

S2、根据拆分后的二维线路模型,分别制备包含二维线路模型对应线路结构的线路板;

S3、根据三维线路结构模型结构,将多个线路板对位层叠,连接成组合体;

S4、将组合体置于酸性介质中,根据引线设计位置,利用激光诱导酸性介质对组合体进行腐蚀出线孔,所述酸性介质在常温状态下不会腐蚀溶解组合体中的线路板;

S5、取出并清洗组合体,然后在线孔内置入导电材料并制备连接线路板的导电引线,实现组合体中多个线路板的层间连接。

2.根据权利要求1所述的多层导电薄片三维结构成型方法,其特征在于,在步骤S3中,相邻线路板之间通过玻璃垫块和粘合胶连接。

3.根据权利要求2所述的多层导电薄片三维结构成型方法,其特征在于,所述玻璃垫块避让线孔位置或所述玻璃垫块设有对应于线孔位置的开孔。

4.根据权利要求1所述的多层导电薄片三维结构成型方法,其特征在于,在步骤S4中,激光入射方向为竖直朝向组合底上下端面或倾斜朝向组合底上下端面或水平朝向组合体侧面。

5.根据权利要求1所述的多层导电薄片三维结构成型方法,其特征在于,在步骤S4中,利用激光诱导酸性介质对组合体进行腐蚀出线孔后,还利用激光诱导酸性介质腐蚀线路板上短路位置。

6.根据权利要求1所述的多层导电薄片三维结构成型方法,其特征在于,在步骤S5中,采用激光烧结或电镀沉积的方式制备导电引线。

7.根据权利要求1所述的多层导电薄片三维结构成型方法,其特征在于,所述酸性介质为酸性液体或包含水蒸气的酸性气体。

8.根据权利要求1所述的多层导电薄片三维结构成型方法,其特征在于,所述酸性介质中加入提高组合体中线路板上线路溶解效果的氧化物。

9.根据权利要求1所述的多层导电薄片三维结构成型方法,其特征在于,还包括步骤S6、清除组合体中残余的导电材料。

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