[发明专利]显示器件及其制备方法在审
申请号: | 202110626310.4 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN115440763A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 侯文军;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 曹柳 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
本申请属于显示器件技术领域,尤其涉及一种显示器件及其制备方法。其中,显示器件的制备方法包括步骤:提供像素衬底;在所述像素衬底上制备第一子像素单元和第二子像素单元,所述第一子像素单元和所述第二子像素单元之间具有间隙;沉积隔离层,所述隔离层的厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度;在所述隔离层上制备器件层,得到显示器件。本申请制备方法,工艺简单,容易操作,适用于工业化大规模生产和应用,制备的显示器件稳定性好,通过不同发光颜色的子像素单元可以灵活调节器件的发光颜色,光电性能优异。
技术领域
本申请属于显示器件技术领域,尤其涉及一种显示器件及其制备方法。
背景技术
由于量子点独特的光电性质,例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等,基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外,QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势,因而有望成为下一代的显示技术。QLED器件工作时需要注入电子和空穴,最简单的QLED器件由阴极、电子传输层、量子点层、空穴传输层和阳极组成。在QLED器件中,量子点薄膜夹在电荷传输层中间,当正向偏压加到QLED器件两端时,电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入量子点发光层,并在量子点发光层复合发光。
目前,喷墨打印(inkjet printing)是一种重要的实现红(R)、绿(G)、蓝(B)三原色像素的溶液加工技术,采用该技术的材料利用率高,且无需使用掩膜板可实现图案化,同时具有工艺简单、成本低廉的特点;是制作QLED显示屏最具潜力的彩色化成膜技术。但是,溶液在基板上形成固态薄膜的相转变过程十分复杂,所以采用喷墨打印制备有机薄膜的均匀性以及表面粗糙度会影响QLED器件性能。而且受到喷墨打印喷头以及设备精度的限制,喷墨打印技术无法实现更高分辨率QLED器件的制备。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示器件及其制备方法,旨在一定程度上解决现有喷墨打印制备的全彩显示器件稳定性有待提高的问题。
为实现上述申请目的,本申请采用的技术方案如下:
第一方面,本申请提供一种显示器件的制备方法,包括以下步骤:
提供像素衬底;
在所述像素衬底上制备第一子像素单元和第二子像素单元,所述第一子像素单元和所述第二子像素单元之间具有间隙;
沉积隔离层,所述隔离层的厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度;
在所述隔离层上制备器件层,得到显示器件。
第二方面,本申请提供一种显示器件,所述显示器件包括像素衬底、形成在所述像素衬底表面间隔设置的第一子像素单元和第二子像素单元、设置在所述第一子像素单元和所述第二子像素单元表面以及间隙处的隔离层和设置在所述隔离层表面的器件层;其中,所述隔离层的厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度。
本申请第一方面提供的显示器件的制备方法,在像素衬底表面间隔制备第一子像素单元和第二子像素单元,在不同子像素单元之间设置隔离层,隔离层的厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度,使得各子像素单元内部接触导通,确保载流子的迁移传输,同时防止不同子像素单元之间相互接触短路,确保器件结构的安全性和稳定性。本申请显示器件的制备方法,工艺简单,容易操作,适用于工业化大规模生产和应用,且制备的显示器件稳定性好,通过不同发光颜色的子像素单元可以灵活调节器件的发光颜色,光电性能优异。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的