[发明专利]显示器件及其制备方法在审
申请号: | 202110626310.4 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN115440763A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 侯文军;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 曹柳 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供像素衬底;
在所述像素衬底上制备第一子像素单元和第二子像素单元,所述第一子像素单元和所述第二子像素单元之间具有间隙;
沉积隔离层,所述隔离层的厚度大于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层的厚度,且小于所述第一子像素单元和所述第二子像素单元中任意一个的发光层与传输层的总厚度;
在所述隔离层上制备器件层,得到显示器件。
2.如权利要求1所述的显示器件的制备方法,其特征在于,所述像素衬底表面依次沉积有第一电极层和第一传输层;所述第一子像素单元和所述第二子像素单元制备在所述第一传输层表面;
和/或,所述第一子像素单元和所述第二子像素单元为不同的发光颜色;
和/或,制备所述第一子像素单元和所述第二子像素单元的方法为光刻胶法。
3.如权利要求2所述的显示器件的制备方法,其特征在于,制备所述第一子像素单元和所述第二子像素单元的步骤包括:在所述像素衬底的表面依次制备第一发光层、第二传输层和光刻胶层,对所述光刻胶层、所述第二传输层和所述第一发光层进行光刻蚀处理,在所述像素衬底表面形成第一发光层-第二传输层-光刻胶层的第一子像素单元;
在所述像素衬底的表面依次制备第二发光层、第二传输层和光刻胶层,对所述光刻胶层、所述第二传输层和所述第二发光层进行光刻蚀处理,在所述像素衬底表面形成第二发光层-第二传输层-光刻胶层的第二子像素单元;
和/或,所述沉积隔离层的步骤包括:在所述第一子像素单元和所述第二子像素单元的表面以及间隙处沉积隔离层;
和/或,在所述隔离层上制备器件层的步骤包括:在形成有所述第一子像素单元、所述第二子像素单元和所述隔离层的像素衬底上依次制备第三传输层和第二电极,得到所述显示器件;所述第一传输层为电子传输层或者空穴传输层;所述第二传输层和所述第三传输层为电子传输层或者空穴传输层,且不同于所述第一传输层。
4.如权利要求3所述的显示器件的制备方法,其特征在于,在所述像素衬底表面形成所述第二子像素单元后,还包括步骤:采用光刻胶法,至少在所述像素衬底表面制备形成包括第三发光层-第二传输层-光刻胶层的第三子像素单元;其中,所述第三发光层与所述第一发光层、所述第二发光层为不同的发光颜色;
和/或,所述第一传输层为空穴传输层;所述第二传输层和所述第三传输层为电子传输层。
5.如权利要求4所述的显示器件的制备方法,其特征在于,制备所述光刻胶层的步骤包括:将光刻胶浆料沉积到传输层表面后,在压强小于10pa的条件下处理0.5~5min,在温度为90~150℃的条件下处理1~5min;
和/或,所述光刻蚀处理依次包括曝光处理和显影处理。
6.如权利要求5所述的显示器件的制备方法,其特征在于,所述曝光处理的波长为300~450nm,强度为40~300mj/cm2;
和/或,对所述光刻胶层进行显影处理的显影液选自:醇甲醚醋酸酯、四甲基氢氧化铵、KOH中的至少一种;
和/或,对所述电子传输层进行显影处理的显影液分别独立地选自:乙醇、丙醇、异丁醇、乙二醇单甲醚中的至少一种;
和/或,对所述空穴传输层进行显影处理的显影液选自:环己基苯、甲苯、氯苯中的至少一种;
和/或,对所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层进行显影处理的显影液分别独立地选自:环己基苯、甲苯、氯苯中的至少一种。
7.如权利要求4~6任一项所述的显示器件的制备方法,其特征在于,所述光刻胶层包括:光敏材料和聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚酰亚胺;
和/或,所述隔离层包括:聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚酰亚胺。
8.如权利要求7所述的显示器件的制备方法,其特征在于,所述光刻胶层为正性光刻胶,所述光敏材料包括:邻硝基苄酯、1-4-二氢吡啶、叠氮醌类化合物中的至少一种;
或者,所述光刻胶层为负性光刻胶,所述光敏材料包括:聚乙烯醇月桂酸酯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的