[发明专利]光阻组成物与制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：

形成一光阻层于一基板上，

其中该光阻层包含一光阻组成物，该光阻组成物包含一聚合物，

其中该聚合物包含：

一第一单体单元，具有一侧链敏化剂基团与一交联基团；及

一第二单体单元，具有一侧链酸不稳定基团；

选择性地在一光化辐射下曝光该光阻层；及

显影经选择性曝光的该光阻层。

2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该光阻组成物还包含一光酸产生剂。

3.如权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，当在辐射下曝光时，该光酸产生剂释放一酸且该侧链敏化剂基团产生多个二次电子。

4.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，当在辐射下曝光时，该聚合物经过一酸不稳定基团去保护反应与一交联反应。

5.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：

形成一光阻层于一基板上，

其中该光阻层包含一光阻组成物，该光阻组成物包含一有机金属材料，且

其中该有机金属材料包含一金属与一交联基团；

在一光化辐射下选择性曝光该光阻层；

其中该选择性曝光导致该有机金属材料聚合；及

显影经选择性曝光的该光阻层。

6.如权利要求5所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该有机金属材料包含一或多个配位基。

7.如权利要求6所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该一或多个配位基包含一第一配位基与一第二配位基，当在该光化辐射下曝光时，该第一配位基分解，且被分解的该第一配位基与该第二配位基反应。

8.一种光阻组成物，其特征在于，包含：

一聚合物，

其中该聚合物包含：

一第一单体单元，具有一侧链敏化剂与交联基团；及

一第二单体单元，具有一侧链酸不稳定基团；及

一光活性化合物。

9.如权利要求8所述的光阻组成物，其特征在于，该聚合物还包含具有一侧链有机基团的一第三单体单元，其中该侧链有机基团为无取代的C1至C30的一基团，或被一或多个碘、溴、氯、氟、羟基、硫醇基、叠氮基、亚磺酰基、烯基、炔基、亚胺基、醚基、酯基、醛基、酮基、酰胺基、砜基、乙酸基、羧酸基或氰化物基取代的C1至C30的一基团。

10.如权利要求8所述的光阻组成物，其特征在于，该交联基团键结至该侧链敏化剂基团，且该交联基团为一或多个具有一官能基的C2至C30的脂肪族或芳香族基团，该官能基从包含环氧基、偶氮基、烷基卤化物基团、亚胺基、烯基、炔基、过氧化基、酮基、醛基、重烯基或杂环基的一群组中选出。