[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110607331.1 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN113540253A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L29/51;H01L27/12;H01L21/336;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;彭昶 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其包含：
包含沟道形成区域的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层上并与所述氧化物半导体层电连接的金属膜；和
与所述金属膜的表面接触的氧化物区域，
其中所述金属膜和所述氧化物区域包含相同的金属。
2.一种半导体装置，其包含：
包含沟道形成区域的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层上并与所述氧化物半导体层电连接的第一金属膜；
在所述氧化物半导体层上并与所述氧化物半导体层电连接的第二金属膜；
与所述第一金属膜的表面接触的第一氧化物区域；
与所述第二金属膜的表面接触的第二氧化物区域；和
在所述第一金属膜、所述第二金属膜、所述第一氧化物区域和所述第二氧化物区域上的绝缘层，
其中所述第一金属膜和所述第一氧化物区域包含相同的金属，且所述第二金属膜和所述第二氧化物区域包含相同的金属，并且
其中所述绝缘层的一部分位于所述第一金属膜和所述第二金属膜之间，且与所述第一氧化物区域、所述第二氧化物区域和所述氧化物半导体层接触。
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