[发明专利]半导体激光器介电层以及半导体激光器的制作方法

权利要求书

1.一种半导体激光器介电层的制作方法，用于半导体激光器的加工制程中，其特征在于，该制作方法包括：

提供预备施作的半导体激光器或半导体激光器半成品；

利用超音波雾化器将可流动式介电材料喷涂于该半导体激光器或该半导体激光器半成品上；以及

通过将涂布该可流动式介电材料的该半导体激光器或该半导体激光器半成品进行烘烤，以此于该半导体激光器或该半导体激光器半成品的表面上形成屏蔽层、钝化层或平坦化层。

2.如权利要求1所述的半导体激光器介电层的制造方法，其特征在于，该可流动式介电材料为甲基倍半硅氧烷、气倍半硅氧烷、有机聚硅氮烷或全氢聚硅氮烷。

3.一种垂直腔面射型激光器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，该半导体衬底由底层至顶层包括N型半导体衬底、N型分布式布拉格反射器层、量子井层以及P型分布式布拉格反射器层；

利用超音波雾化器将可流动式介电材料喷涂于该半导体衬底上，以真空准分子紫外线在氮气环境下烘烤固化以形成第一屏蔽层，利用光刻生成p-mesa图形，再利用干法刻蚀做出p-mesa结构，进一步通过氧化制程，生成发光孔径并形成半导体激光器半成品；

利用所述的超音波雾化器将可流动式介电材料喷涂于该半导体激光器半成品上，以真空准分子紫外线在氮气环境下烘烤固化以形成第二屏蔽层，利用光刻生成n-mesa图形，再利用干法刻蚀做出n-mesa结构；

利用所述的超音波喷涂技术将可流动式介电材料喷涂于该半导体激光器半成品上，以真空准分子紫外线在氮气环境下烘烤固化形成钝化层，光刻后镀上P电极及N电极；以及

利用所述的超音波雾化器将可流动式介电材料喷涂于该半导体激光器半成品上，在氧气环境下烘烤固化形成平坦化层，并执行二次镀金完成所述的垂直腔面射型激光器。

4.如权利要求3所述的垂直腔面射型激光器的制作方法，其特征在于，该可流动式介电材料为甲基倍半硅氧烷、气倍半硅氧烷、有机聚硅氮烷或全氢聚硅氮烷。

5.如权利要求3所述的垂直腔面射型激光器的制作方法，其特征在于，所提供的所述真空准分子紫外线的波长小于200nm。

6.如权利要求3所述的垂直腔面射型激光器的制作方法，其特征在于，所述的第一屏蔽层厚度为0.5μm～2μm。

7.如权利要求3所述的垂直腔面射型激光器的制作方法，其特征在于，所述的第二屏蔽层厚度为0.5μm～3μm。

8.如权利要求3所述的垂直腔面射型激光器的制作方法，其特征在于，所述的钝化层厚度为0.5μm～2μm。

9.如权利要求3所述的垂直腔面射型激光器的制作方法，其特征在于，所述的平坦化层厚度为5μm～10μm。

10.一种分布式回馈激光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，该半导体衬底由底层至顶层包括N型半导体衬底、量子井层、间隙壁层、光栅层以及波导层；

利用超音波雾化器将可流动式介电材料喷涂于该半导体衬底上，以真空准分子紫外线在氮气环境下烘烤固化以形成屏蔽层；

涂上光阻利用光刻生成脊状图形；

利用干法刻蚀做出脊结构；

去除光阻与硬屏蔽；

利用所述超音波雾化器将可流动式介电材料喷涂于该半导体衬底上，以令该可流动式介电材料填满所述脊结构，以真空准分子紫外线在氮气环境下烘烤固化以形成一平坦化层；

利用光刻生成P电极图形且利用干法刻蚀在所述脊结构上方生成P电极的位置；

经由光刻生成焊垫位置；

镀上该P电极与去除残留金属；以及

背面抛光研磨并且镀上N电极。