[发明专利]一种发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；

第一反射层，设置于所述基板的上方；

第一绝缘层，设置于部分所述第一反射层的上方；

金属阻挡层，设置于部分所述第一绝缘层的上方，且所述金属阻挡层包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于形成所述发光二极管的外延层的发光区的下方，所述第二部分位于形成所述发光二极管的电极的电极区的下方，所述第一部分与所述第二部分形成连续结构；

第二反射层，设置于所述金属阻挡层的第一部分的部分表面上，且由所述金属阻挡层的第一部分包覆；

外延层，位于所述第二反射层及除所述第二反射层之外的所述金属阻挡层的第一部分的上方，所述外延层依次包括第二半导体层、有源层和第一半导体层，所述第一反射层贯穿所述第二半导体层、有源层和部分第一半导体层，并与所述第一半导体层形成电性连接；所述有源层形成所述发光二极管的发光区；

其中，在所述基板的第一表面的投影中，所述金属阻挡层的第一部分的至少部分边缘线位于所述发光区的边缘线的内侧，所述金属阻挡层的第二部分的边缘线位于所述发光区的边缘线的外侧。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述基板的第一表面的投影中，所述金属阻挡层的第二部分的边缘线位于所述电极区的边缘线的外侧。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述金属阻挡层的第二部分的边缘线与所述电极区的边缘线之间的距离介于3~15 μm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述基板的第一表面的投影中，所述金属阻挡层的第一部分的边缘线位于所述第二反射层的边缘线的外侧。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，在所述基板的第一表面的投影中，所述金属阻挡层的第一部分的边缘线距离所述第二反射层的边缘线的距离介于2~4 μm。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属阻挡层的第一部分在除包覆所述第二反射层之外的区域上形成有凹槽，所述凹槽贯穿所述金属阻挡层，且至少部分所述第一反射层设置于所述凹槽的正下方。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽设置于所述金属阻挡层的第一部分的边缘区域。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述凹槽设置于所述金属阻挡层的第一部分的边缘位置，且所述凹槽形成为多个独立的凹槽。

9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，多个所述凹槽均匀分布于所述金属阻挡层的第一部分的边缘位置。

10.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层包括第一部分和第二部分，所述第一反射层的第一部分与所述第一半导体层形成电性接触，所述第一反射层的第二部分设置于所述凹槽的正下方。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属阻挡层的材料包括Ti、Pt、Au或Cr中的一种或至少两种组成的合金，所述基板与所述第一反射层之间设置有金属键合层。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第二反射层的上方，并且所述第二绝缘层内嵌有透明导电层，所述透明导电层与所述第二反射层连接。