[发明专利]集成半导体器件、晶体管和制造突起场效应晶体管的方法在审
| 申请号： | 202110591884.2 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113380800A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 马可·范·达尔;荷尔本·朵尔伯斯;乔治奥斯·韦理安尼堤斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 半导体器件 晶体管 制造 突起 场效应 方法 | ||
1.一种晶体管，包括：
介电层，具有多个介电突起；
沟道层，共形地覆盖所述多个介电突起以在两个相邻的介电突起之间形成多个沟槽；
栅极层，设置在所述沟道层上，其中，所述栅极层具有配接在所述沟槽中的多个栅极突起；以及
有源区，形成在所述栅极层的任意一侧上，其中，所述有源区电连接至所述沟道层。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述多个栅极突起沿着始于所述有源区的第一方向形成为一维阵列。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述多个栅极突起沿着与始于所述有源区的第一方向垂直的第二方向形成为一维阵列。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述多个栅极突起包括沿着始于所述有源区的第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向的二维阵列。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述多个介电突起包括靠近衬底的第一端和远离所述衬底的第二端，以及其中，所述第一端的宽度比所述第二端的宽度宽。
6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述多个介电突起的每个介电突起具有三角形截面轮廓。
7.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述多个介电突起的每个介电突起具有圆化的三角形截面轮廓。
8.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述沟道层是层压结构，所述层压结构包括InWO层、InZnO层、InSnO层、GaOx层、InOx层或其组合。
9.一种集成半导体器件，包括：
突起场效应晶体管，位于所述集成半导体器件的后段制程(BEOL)部分中，所述突起场效应晶体管包括：
介电层，具有多个介电突起；
沟道层，共形地覆盖所述多个介电突起以在两个相邻的介电突起之间形成多个沟槽；
栅极层，设置在所述沟道层上，其中，所述栅极层具有配接在所述沟槽中的多个栅极突起；以及
有源区，形成在所述栅极层的任意一侧上，其中，所述有源区电连接至所述沟道层。
10.一种制造突起场效应晶体管的方法，包括：
提供衬底，所述衬底包括具有多个介电突起的介电层；
共形地形成覆盖所述多个介电突起的沟道层以在两个相邻的介电突起之间形成多个沟槽；
形成设置在所述沟道层上的栅极层，其中，所述栅极层具有配接在所述沟槽中的多个栅极突起；以及
在所述栅极层的任意一侧上形成有源区，其中，所述有源区电连接至所述沟道层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
